[发明专利]低噪声放大器芯片封装结构和卫星高频头电路

说明书

本发明涉及一种低噪声放大器芯片封装结构和一种卫星高频头电路，所述封装结构包括：导线框架，包括裸片布局区和至少六个引脚，所述至少六个引脚围绕所述裸片布局区放置；第一裸片和第二裸片，置于所述裸片布局区，所述裸片布局区与至少两个引脚电连接，所述第一裸片包括第一FET结构，所述第二裸片包括第二FET结构，且所述第一FET结构和第二FET结构的源极均通过导线电连接至所述裸片布局区，所述第一FET结构和第二FET结构的栅极和漏极分别通过导线电连接至与所述裸片布局区隔离的不同的引脚。所述低噪声放大器芯片封装结构能够提高卫星高频头电路的集成度。

技术领域

本发明涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种低噪声放大器芯片封装结构和卫星高频头电路。

背景技术

随着信息科技发展的突飞猛进和集成电路高度集成化的迅速发展，作为集成电路中最重要和最核心的低噪声放大器技术也得到了极大地发展。近年来随着卫星技术的迅速发展，Ku波段卫星电视随处可见并在人们的日常娱乐生活中起到越来越大的作用，人们越来越离不开卫星电视的丰富多彩。

低噪声放大器位于接收机的前端，放大微弱信号是其主要作用，对于降低噪声干扰，提高整个接收机的性能起着至关重要的作用。因此低噪声放大器一直是雷达、通信和电子对抗等电子系统中的关键微波部件，有着广泛的军用和民用价值。低噪声放大器技术已经从过去的单一化逐渐向集成化、微型化和网络化发展，对于Ku波段卫星电视高频头的低噪声放大器而言，最重要的研究领域便是如何实现接收机的低噪声和高集成。低噪声放大器是卫星通信、雷达通信等领域中高灵敏度接收机的关键部件，是射频前端的关键模块，其性能对整个系统起着决定性的作用，因此如何实现低噪声放大器的低噪声和高集成度便是当前研究的重点。

应用于Ku波段卫星电视高频头的低噪声放大器芯片封装方法比较单一，主要采用日本CDK(全称：Chuo Denshi Kogyo Co.)公司的封装方法。主要与CDK公司的封装方法(SOD-4封装)类似，具有4个引脚(PIN)，大小为2.05×2.00×0.59mm³。目前，传统低噪声放大器芯片SOD-4封装方法存在封装面积大，成本高，噪声较大的缺陷。并且，传统的低噪声放大器芯片SOD-4封装方法在Ku波段卫星电视高频头的应用中，需要使用两颗低噪声放大器芯片封装结构分别对垂直极化信号和水平极化信号进行处理，而且需要为垂直极化和水平极化分别设计外围电路，这大大增加了设计成本和设计时间，而且极大的增加了接收机的面积，阻碍了集成电路的小型化，带来很多弊端。

为提高卫星电视的信号质量与卫星电视带给人们的精彩体验，相对于传统的低噪声放大器芯片封装集成设计方法，有必要提出一种更加高度集成化、噪声更低，增益更大的封装集成设计方法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种低噪声放大器芯片封装结构和一种卫星高频头电路。

为了解决上述问题，本发明提供了一种低噪声放大器芯片封装结构，包括：导线框架，包括裸片布局区和至少六个引脚，所述至少六个引脚围绕所述裸片布局区放置；第一裸片和第二裸片，置于所述裸片布局区，所述裸片布局区与至少两个引脚电连接，所述第一裸片包括第一FET结构，所述第二裸片包括第二FET结构，且所述第一FET结构和第二FET结构的源极均通过导线电连接至所述裸片布局区，所述第一FET结构和第二FET结构的栅极和漏极分别通过导线电连接至与所述裸片布局区隔离的不同的引脚。

可选的，所述第一FET结构和第二FET结构的源极均包括第一端和第二端，所述第一端和第二端均通过至少两根导线与所述裸片布局区电连接。

可选的，所述至少六个引脚分布于所述裸片布局区的相对两侧，连接所述第一FET结构的栅极和第二FET结构的栅极的两个引脚位于同一侧，连接所述第一FET结构的漏极和第二FET结构的漏极的两个引脚位于另一侧。

可选的，所述第一裸片和第二裸片的结构和规格相同。