[发明专利]低噪声放大器芯片封装结构和卫星高频头电路

权利要求书

1.一种低噪声放大器芯片封装结构，其特征在于，包括：

导线框架，包括裸片布局区和至少六个引脚，所述至少六个引脚围绕所述裸片布局区放置；及，

第一裸片和第二裸片，置于所述裸片布局区，所述裸片布局区与至少两个引脚电连接，所述第一裸片包括第一FET结构，所述第二裸片包括第二FET结构，且所述第一FET结构和第二FET结构的源极均通过导线电连接至所述裸片布局区，所述第一FET结构的栅极、漏极和第二FET结构的栅极、漏极分别通过导线电连接至与所述裸片布局区隔离的不同的4个引脚；

所述第一FET结构和第二FET结构的源极均包括第一端和第二端，所述第一端和第二端均通过至少两根导线与所述裸片布局区电连接。

2.根据权利要求1所述的低噪声放大器芯片封装结构，其特征在于，所述至少六个引脚分布于所述裸片布局区的相对两侧，连接所述第一FET结构的栅极和第二FET结构的栅极的两个引脚位于同一侧，连接所述第一FET结构的漏极和第二FET结构的漏极的两个引脚位于另一侧。

3.根据权利要求1所述的低噪声放大器芯片封装结构，其特征在于，所述第一裸片和第二裸片的结构和规格相同。

4.根据权利要求1所述的低噪声放大器芯片封装结构，其特征在于，所述裸片布局区以及与所述裸片布局区电连接的引脚位于同一导电层内。

5.一种卫星高频头电路，其特征在于，包括：

天线模块，包括垂直极化天线单元和水平极化天线单元，所述垂直极化天线单元用于输出垂直极化信号，所述水平极化天线单元用于输出水平极化信号；

如权利要求1至4中任一项所述的低噪声放大器芯片封装结构，与所述天线模块连接，用于对所述天线模块输出的垂直极化信号和水平极化信号分别进行放大处理和输出；

处理模块，连接至所述低噪声放大器芯片封装结构，用于对经所述低噪声放大器芯片封装结构放大处理后的信号进行后续处理。

6.根据权利要求5所述的卫星高频头电路，其特征在于，所述天线模块中的垂直极化天线单元连接至所述低噪声放大器芯片封装结构中与所述第二FET结构的栅极连接的引脚；所述水平极化天线单元连接至所述低噪声放大器芯片封装结构中与第一FET结构的栅极连接的引脚。

7.根据权利要求5所述的卫星高频头电路，其特征在于，所述处理模块连接至所述低噪声放大器芯片封装结构中与所述第二FET结构的漏极连接的引脚，用于接收放大处理后的垂直极化信号；所述处理模块连接至所述低噪声放大器芯片封装结构中与所述第一FET结构的漏极连接的引脚，用于接收放大处理后的水平极化信号。

8.根据权利要求5所述的卫星高频头电路，其特征在于，所述低噪声放大器芯片封装结构中与所述裸片布局区电连接的至少两个引脚接地。