[发明专利]半导体装置和器械有效
| 申请号: | 201811143651.0 | 申请日: | 2018-09-29 |
| 公开(公告)号: | CN109585475B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
| 发明(设计)人: | 樱井克仁;高田佳明;白井誉浩;小林秀央;中村恒一;吉田大介;乾文洋 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L25/16 |
| 代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 张劲松 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 器械 | ||
本发明公开了半导体装置和器械。半导体装置包括第一芯片和第二芯片的堆叠,第一芯片和第二芯片各自具有以矩阵形式布置的多个像素电路。第a行第e1列的像素电路连接到第p行第v列的电路。第a行第f1列的像素电路连接到第q行第v列的电路。第a行第g1列的像素电路连接到第r行第v列的电路。第a行第h1列的像素电路连接到第s行第v列的电路。
技术领域
实施例的一个公开方面涉及具有多个芯片的堆叠的半导体装置。
背景技术
具有包括像素电路的芯片和包括被配置为处理来自像素电路的信号的电路的芯片的堆叠的成像装置可以用于大大改善成像装置的价值。日本专利公开No.2012-104684和日本专利公开No.2013-51674公开了堆叠其上具有多个列电路的基板和其上具有像素单元的基板。
被配置为处理信号的电路根据该电路的位置可以具有变化的特性。根据电路与像素电路之间的对应关系,由于该电路的这样的变化的特性,所得到的图像可能具有不均匀性(阴影)。
发明内容
一种半导体装置,所述半导体装置包括第一芯片和第二芯片的堆叠,所述第一芯片具有以J行K列的矩阵形式布置的多个像素电路(pixel circuit),所述第二芯片具有以T行U列的矩阵形式布置的多个电路(electric circuit)。所述多个电路中的每一个电路具有第一部分和第二部分。所述第一部分连接到所述多个像素电路中的至少两个像素电路和所述第二部分。所述第一部分被配置为从所述两个像素电路顺次地选择像素电路以连接到所述第二部分。所述多个像素电路中的第a行第e1列像素电路连接到所述多个电路中的第p行第v列的电路。所述多个像素电路中的第a行第f1列像素电路连接到所述多个电路中的第q行第v列的电路。所述多个像素电路中的第a行第g1列的像素电路连接到所述多个电路中的第r行第v列的电路。所述多个像素电路中的第a行第h1列的像素电路连接到所述多个电路中的第s行第v列的电路。TJ且UK,f1和g1是e1与h1之间的整数,并且q和r是p与s之间的整数。
从参考附图的示例性实施例的以下描述,本公开的进一步特征将变得清楚。
附图说明
图1A和1B是示出半导体装置的实施例的示意图。
图2A和2B是示出半导体装置的实施例的示意图。
图3A和3B是示出半导体装置的实施例的示意图。
图4A和4B是示出半导体装置的实施例的示意图。
图5A和5B是示出半导体装置的实施例的示意图。
图6A和6B是示出半导体装置的实施例的示意图。
图7是示出半导体装置的实施例的示意图。
图8是示出半导体装置的实施例的示意图。
图9是示出半导体装置的实施例的示意图。
图10A和10B是示出半导体装置的实施例的示意图。
图11A和11B是示出半导体装置的实施例的示意图。
图12A和12B是示出半导体装置的实施例的示意图。
图13A和13B是示出半导体装置的实施例的示意图。
图14A和14B是示出半导体装置的实施例的示意图。
图15是示出半导体装置的实施例的示意图。
图16是示出半导体装置的实施例的示意图。
图17是示出半导体装置的实施例的示意图。
图18是示出半导体装置的实施例的示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





