[发明专利]半导体装置和器械有效
| 申请号: | 201811143651.0 | 申请日: | 2018-09-29 |
| 公开(公告)号: | CN109585475B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
| 发明(设计)人: | 樱井克仁;高田佳明;白井誉浩;小林秀央;中村恒一;吉田大介;乾文洋 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L25/16 |
| 代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 张劲松 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 器械 | ||
1.一种半导体装置,所述半导体装置包括第一芯片和第二芯片的堆叠,所述第一芯片具有以J行K列的矩阵形式布置的多个像素电路,所述第二芯片具有以T行U列的矩阵形式布置的多个电路,
其中所述多个电路中的每一个电路具有第一部分和第二部分,并且所述第一部分连接到所述多个像素电路中的至少两个像素电路和所述第二部分,并且所述第一部分被配置为从所述两个像素电路顺次地选择像素电路以连接到所述第二部分,
其中所述多个像素电路中的第a1行第e1列的像素电路连接到所述多个电路中的第p行第v列的电路,
其中所述多个像素电路中的第a2行第f1列的像素电路连接到所述多个电路中的第q行第v列的电路,
其中所述多个像素电路中的第a3行第g1列的像素电路连接到所述多个电路中的第r行第v列的电路,
其中所述多个像素电路中的第a4行第h1列的像素电路连接到所述多个电路中的第s行第v列的电路,并且
TJ且UK,a1a2a3a4,f1和g1是e1与h1之间的整数,并且q和r是p与s之间的整数。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,
其中所述多个像素电路中的第b1行第e1列的像素电路连接到所述第p行第v列的电路,
其中所述多个像素电路中的第b2行第f1列的像素电路连接到所述第q行第v列的电路,
其中所述多个像素电路中的第b3行第g1列的像素电路连接到所述第r行第v列的电路,
其中所述多个像素电路中的第b4行第h1列的像素电路连接到所述第s行第v列的电路,并且
其中a4b1b2b3b4。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,
其中所述多个像素电路中的第b1行第e2列的像素电路连接到所述多个电路中的第p行第w列的电路,
其中所述多个像素电路中的第b2行第f2列的像素电路连接到所述多个电路中的第q行第w列的电路,
其中所述多个像素电路中的第b3行第g2列的像素电路连接到所述多个电路中的第r行第w列的电路,
其中所述多个像素电路中的第b4行第h2列的像素电路连接到所述多个电路中的第s行第w列的电路,
其中a4b1b2b3b4,并且
其中f2和g2是e2与h2之间的整数。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,
其中所述多个像素电路中的第a1行第e2列的像素电路连接到所述第p行第w列的电路,
其中所述多个像素电路中的第a2行第f2列的像素电路连接到所述第q行第w列的电路,
其中所述多个像素电路中的第a3行第g2列的像素电路连接到所述第r行第w列的电路,并且
其中所述多个像素电路中的第a4行第h2列的像素电路连接到所述第s行第w列的电路。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,所述半导体装置还包括:
形成于所述第一芯片中的绝缘膜的凹部中多个第一导电部分,和
形成于所述第二芯片中的绝缘膜的凹部中多个第二导电部分,
其中所述多个第一导电部分中的每一个与所述多个第二导电部分中的相应一个接触。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中e1f1g1h1且pqrs。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,
其中所述多个像素电路中的第c1行第e1列的像素电路连接到所述多个电路中的第p2行第v列的电路,
其中所述多个像素电路中的第c2行第f1列的像素电路连接到所述多个电路中的第q2行第v列,
其中所述多个像素电路中的第c3行第g1列的像素电路连接到所述多个电路中的第r2行第v列的电路,
其中所述多个像素电路中的第c4行第h1列的像素电路连接到所述多个电路中的第s2行第v列的电路,
其中c1c2c3c4,并且
其中q2和r2是p2与s2之间的整数。
8.根据权利要求1所述的半导体装置,其中J≤T×UJ×K/2。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





