[发明专利]微显示器件及其制备方法、显示面板

说明书

本发明提供了一种微显示器件及其制备方法、显示面板，涉及LED显示领域，该微显示器件包括：半导体衬底；以及，形成在半导体衬底上的全彩色显示阵列；其中，全彩色显示阵列包括至少一个RGB像素，RGB像素包括红、绿、蓝像素单元，RGB像素通过分子束外延法制备工艺直接形成在半导体衬底上。通过利用掩模MBE法制备RGB像素各自独立的全彩色发光阵列，缓解了现有技术中存在的像素间串扰的技术问题，能够实现全彩显示，改善了微显示器件的发光效果。该微显示器件红、绿、蓝像素单元的发光层采用同样的量子阱材料，有利于降低工艺难度，且全在高真空下完成，在降低工艺难度的同时可避免因工艺交替而引入的杂质和缺陷。

技术领域

本发明涉及LED显示技术领域，尤其是涉及一种微显示器件及其制备方法、显示面板。

背景技术

目前，现有的LED微显示器是通过将整块LED器件键合在IC驱动阵列上的方式制作的，该种方式由于像素之间不独立，导致像素间串扰的问题。

针对以上问题，目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种微显示器件及其制备方法、显示面板，以缓解现有技术中存在的像素间串扰的技术问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种微显示器件，包括：

半导体衬底；以及，

形成在所述半导体衬底上的全彩色显示阵列，其中，所述全彩色显示阵列包括至少一个RGB像素(红绿蓝像素，又称全彩色像素)，所述RGB像素包括R(Red，红色)像素单元、G(绿色，Green)像素单元和B(Blue，蓝色)像素单元，所述RGB像素通过分子束外延法(Molecular Beam Epitaxy，MBE)制备工艺直接形成在所述半导体衬底上。

本发明实施例通过使用MBE法制备处RGB像素各自独立的全彩色显示阵列(又称为RGB像素阵列或全彩色发光阵列)，缓解了现有技术中存在的串扰问题，实现微显示器件的全彩显示，此外，通过MBE掩模生长法可直接制备出的各自独立的RGB像素阵列，均是在高真空下完成，可避免因工艺交替而引入的杂质和缺陷。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第一种可能的实施方式，其中，所述R像素单元、所述G像素单元、所述B像素单元均包括通过分子束外延法依次沉积的N型GaN外延层(N-GaN外延层)、InGaN多量子阱(Multi-Quantum Well，MQW)层(即InGaN MQW)、P型GaN层(P-GaN)、电流拓展层、P型电极(P电极)；其中，所述R像素单元、所述G像素单元和所述B像素单元的InGaN多量子阱层的In含量不同。

通过在InGaN多量子阱层中调整In的组分比例来调整带隙，进而达到RGB波段的调整。

具体实现时，可以在制备该层时，利用MBE法配合相对应的像素单元(或像素单元阵列)的掩膜板在高真空下制备得到，实现了将RGB像素阵列的至少一个R像素单元或至少一个G像素单元或至少一个B像素单元的同时制备，实现全彩色像素阵列的发光层的制备；换而言之，当RGB像素为一个，R像素单元、G像素单元、B像素单元也均为一个时，利用MBE法配合相对应的像素单元的掩膜板依次制备R像素单元、G像素单元、B像素单元，最终制备得到包括作为发光层的一个RGB像素的全彩色像素阵列；当RGB像素为多个，R像素单元、G像素单元、B像素单元也均为多个时，利用MBE法配合相对应的像素单元阵列的掩膜板在高真空下依次完成RGB像素阵列的多个R像素单元或多个G像素单元或多个B像素单元的同时制备，最后得到包括作为发光层的多个RGB像素的全彩色像素阵列。