[发明专利]微显示器件及其制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种微显示器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；以及，

形成在所述半导体衬底上的全彩色显示阵列，其中，所述全彩色显示阵列包括至少一个RGB像素，所述RGB像素包括R像素单元、G像素单元和B像素单元，所述RGB像素通过分子束外延法制备工艺直接形成在所述半导体衬底上。

2.根据权利要求1所述的微显示器件，其特征在于，所述R像素单元、所述G像素单元、所述B像素单元均包括通过分子束外延法依次沉积的N型GaN外延层、InGaN多量子阱层、P型GaN层、电流拓展层、P型电极；其中，所述R像素单元、所述G像素单元和所述B像素单元的InGaN多量子阱层的In含量不同。

3.根据权利要求2所述的微显示器件，其特征在于，所述R像素单元中InGaN多量子阱层的In组分的原子比含量为0.15-0.25；所述G像素单元中InGaN多量子阱层的In组分的原子比含量为0.35-0.4；所述B像素单元中InGaN多量子阱层的In组分的原子比含量为0.4-0.5。

4.根据权利要求1所述的微显示器件，其特征在于，所述RGB像素为多个，所述微显示器件还包括：在相邻的所述RGB像素之间形成的黑色遮光墙。

5.根据权利要求1所述的微显示器件，其特征在于，所述半导体衬底为蓝宝石衬底。

6.一种显示面板，其特征在于，包括：驱动背板以及如权利要求1-5任一项所述的微显示器件，所述驱动背板与所述微显示器件通过倒装焊键合。

7.一种微显示器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成全彩色显示阵列；其中，所述全彩色显示阵列包括至少一个RGB像素，所述RGB像素包括R像素单元、G像素单元和B像素单元，所述RGB像素通过分子束外延法制备工艺直接形成在所述半导体衬底上。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述半导体衬底上形成全彩色显示阵列，包括：

通过分子束外延法配合带有像素阵列图案的镂空金属掩模板，将不同In组分含量的N-GaN/InGaN MQW/P-GaN/电流扩展层/P型电极的结构阵列制备在所述半导体衬底上。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述R像素单元中InGaN MQW的In组分的原子比含量为0.15-0.25；所述G像素单元中InGaN MQW的In组分的原子比含量为0.35-0.4；B像素单元中InGaN MQW的In组分的原子比含量为0.4-0.5。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述RGB像素为多个，所述方法还包括：

在相邻的所述RGB像素之间制备黑色遮光墙。