[发明专利]半导体封装和图像传感器有效
| 申请号: | 201811107072.0 | 申请日: | 2018-09-21 |
| 公开(公告)号: | CN109585471B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
| 发明(设计)人: | 沈钟辅;赵汊济;韩相旭 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 图像传感器 | ||
1.一种半导体封装,包括:
封装基板;
设置在所述封装基板上的图像传感器;以及
设置在所述封装基板与所述图像传感器之间的接合层,
其中所述接合层包括第一区域、第二区域和第三区域,
其中所述第二区域具有比所述第一区域的弹性模量低的弹性模量,并且设置在所述第一区域的周边,
其中所述第三区域设置在所述第二区域的周边且具有比所述第二区域的弹性模量高的弹性模量。
2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述第二区域包括多个子区域。
3.根据权利要求2所述的半导体封装,其中所述多个子区域的至少一部分通过所述第一区域彼此分开。
4.根据权利要求2所述的半导体封装,其中所述多个子区域的至少一部分具有从所述第一区域延伸的形状。
5.根据权利要求2所述的半导体封装,其中所述多个子区域的至少一部分关于所述第一区域对称地布置。
6.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述第二区域围绕所述第一区域。
7.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述第三区域具有比所述第一区域的弹性模量低的弹性模量。
8.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述第一区域的面积小于所述第二区域的面积。
9.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述第一区域包括环氧树脂,所述第二区域包括硅树脂。
10.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述图像传感器包括像素阵列区域、提供在所述像素阵列区域下方的逻辑电路区域、以及提供在所述逻辑电路区域下方的存储区域,
所述存储区域具有存储数据的存储芯片以及与所述存储芯片相邻设置的虚设芯片。
11.根据权利要求10所述的半导体封装,其中所述图像传感器具有允许所述存储芯片附接到所述逻辑电路区域的下部的第一芯片接合层、以及允许所述虚设芯片附接到所述逻辑电路区域的下部的第二芯片接合层。
12.根据权利要求11所述的半导体封装,其中所述第一芯片接合层具有比所述第二芯片接合层的弹性模量高的弹性模量。
13.一种半导体封装,包括:
封装基板;
图像传感器,其包括存储区域、堆叠在所述存储区域上的逻辑电路区域、以及堆叠在所述逻辑电路区域上的像素阵列区域,其中所述存储区域具有通过第一芯片接合层附接到所述逻辑电路区域的存储芯片和通过第二芯片接合层附接到所述逻辑电路区域的虚设芯片,其中所述第二芯片接合层具有比所述第一芯片接合层的弹性模量低的弹性模量;以及
接合层,其设置在所述封装基板与所述图像传感器之间,其中所述接合层将所述封装基板和所述图像传感器彼此附接,以及其中所述接合层包括第一区域和设置在所述第一区域的周边的第二区域,其中所述第一区域具有比所述第二区域的弹性模量高的弹性模量。
14.根据权利要求13所述的半导体封装,其中所述第一芯片接合层具有比所述第二芯片接合层、所述第一区域和所述第二区域的弹性模量高的弹性模量。
15.根据权利要求13所述的半导体封装,其中所述图像传感器包括设置在所述存储芯片与所述逻辑电路区域之间的微凸块,以及
其中所述第一芯片接合层保护所述微凸块。
16.一种图像传感器,包括:
具有多个像素的像素阵列区域;
设置在所述像素阵列区域下方的逻辑电路区域;
设置在所述逻辑电路区域下方的存储区域,其中所述存储区域具有电连接到所述逻辑电路区域中包括的电路元件的至少一部分的存储芯片和与所述存储芯片相邻设置的虚设芯片;以及
芯片接合层,其包括将所述存储芯片和所述逻辑电路区域彼此附接的第一芯片接合层、以及将所述虚设芯片和所述逻辑电路区域彼此附接的第二芯片接合层,其中所述第二芯片接合层具有比所述第一芯片接合层的弹性模量低的弹性模量。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811107072.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





