[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

本发明实施例涉及一种半导体结构及其制造方法。本发明实施例的一种半导体结构包含电容器，所述电容器包含第一电极和安置于所述第一电极上方且与所述第一电极电绝缘的第二电极。所述半导体结构还包含延伸穿过所述第一电极且接触所述第一电极的平坦表面的第一导电通路。所述半导体结构进一步包含延伸穿过所述第二电极且接触所述第二电极的平坦表面的第二导电通路。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体结构及其制造方法。

背景技术

在现代半导体装置和系统中，组件的集成和小型化在以越来越快速度推进。在无线应用中，集成程序所遭遇的增长挑战是电容器的安置。归因于电路的空间约束，与集成电路相关联的常规电容器通常被设计成具有有限性能和容量。因此，期望改进集成式天线结构。

发明内容

根据本发明的一实施例，一种半导体结构包括：电容器，其包括第一电极和安置于所述第一电极上方且与所述第一电极电绝缘的第二电极；第一导电通路，其延伸穿过所述第一电极且接触所述第一电极的平坦表面；和第二导电通路，其延伸穿过所述第二电极且接触所述第二电极的平坦表面。

根据本发明的一实施例，一种半导体结构包括：第一导电层；第二导电层，其位于所述第一导电层上方；第一介电层，其位于所述第一导电层与所述第二导电层之间，其中所述第一导电层至少部分与所述第二导电层重叠且通过所述第一介电层与所述第二导电层电绝缘；第二介电层，其位于所述第二导电层上方；和第一导电结构，其包括延伸穿过所述第二导电层、所述第一介电层和所述第二介电层且终止于所述第一导电层的平坦表面上的导电通路。

根据本发明的一实施例，一种制造半导体结构的方法包括：提供衬底；使第一导电层形成于衬底上方；使第一介电层沉积于所述第一导电层上方；使第二导电层形成于所述第一介电层上方；使第二介电层形成于所述第二导电层上方；形成穿过所述第一导电层、所述第二导电层、所述第一介电层和所述第二介电层的多个通路，所述多个通路中的至少一个暴露所述第一导电层的平坦表面；和使导电结构形成于所述多个通路中。

附图说明

从结合附图阅读的以下详细描述最佳理解本揭露的方面。应注意，根据业界常规做法，各种构件未按比例绘制。实际上，为使讨论清楚，可任意增大或减小各种构件的尺寸。

图1到7是根据一些实施例的用于制造半导体装置的方法的中间结构的横截面图。

图7A是根据一些实施例的制造半导体装置的段的横截面图的一放大图。

图8到10是根据一些实施例的用于制造半导体装置的方法的中间结构的横截面图。

图11是根据一些实施例的图10中的半导体装置的示意性俯视图。

图12到18是根据一些实施例的用于制造半导体装置的方法的中间结构的横截面图。

图19是根据一些实施例的图18中的半导体装置的示意性俯视图。

具体实施方式

以下揭露提供用于实施所提供标的的不同特征的许多不同实施例或实例。下文将描述组件和布置的具体实例以简化本揭露。当然，这些仅为实例且不意在限制。例如，在以下描述中，“使第一构件形成于第二构件上方或第二构件上”可包含其中形成直接接触的所述第一构件和所述第二构件的实施例，且还可包含其中额外构件可形成于所述第一构件与所述第二构件之间使得所述第一构件和所述第二构件可不直接接触的实施例。另外，本揭露可在各种实例中重复元件符号和/或字母。此重复旨在简化和清楚且其本身不指示所讨论的各种实施例和/或配置之间的关系。

此外，为了方便描述，可在本文中使用空间相对术语(例如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等等)来描述一元件或构件与另一(些)元件或构件的关系，如图中所绘示。除图中所描绘的定向之外，空间相对术语还打算涵盖装置在使用或操作中的不同定向。设备可依其它方式定向(旋转90度或呈其它定向)且还可据此解译本文中所使用的空间相对描述词。