[发明专利]产生检查方案的方法和其系统有效
| 申请号: | 201811057844.4 | 申请日: | 2018-09-11 |
| 公开(公告)号: | CN109558620B | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
| 发明(设计)人: | 阿里尔·沙卡林;莫什·阿姆扎勒;埃亚尔·内斯坦;什洛莫·图布尔;马克·格塞尔;埃拉德·科恩 | 申请(专利权)人: | 应用材料以色列公司 |
| 主分类号: | G06T7/00 | 分类号: | G06T7/00;G06T7/11 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
| 地址: | 以色列*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 产生 检查 方案 方法 系统 | ||
提供了产生可用于检查样本的检查方案的系统和方法,方法包括:从裸片捕获图像并且获得指示图像上的噪声分布的噪声图;接收表示多个设计分组的设计数据,每个设计分组具有相同设计图案;计算每个给定的设计分组的分组评分,分组评分是基于与给定设计分组相关联的噪声数据和为给定设计分组的面积分配的缺陷预算来计算;提供与裸片有关的分段,包括:基于分组评分使用指示不同噪声等级的分段标签来关联设计分组,由此获得一组裸片分段,每个裸片分段对应于与相同分段标签相关联的一个或多个设计分组和分段配置数据;和使用分段配置数据产生检查方案。
技术领域
本文所公开的主题大体上涉及检查样本的领域,并且更具体来说,涉及产生可用于检查样本的检查方案的方法和系统。
背景技术
对与所制造装置的超大规模集成相关联的高密度和性能的当前需求需要亚微米特征、增加的晶体管和电路速度、和改良的可靠性。随着半导体工艺进展,诸如线宽的图案尺寸和其它类型的临界尺寸持续缩小。这也被称为设计规则。这种需求需要形成具有高精度和均匀性的装置特征,这反过来又需要监控制造过程,这种监控包含在装置仍处于半导体晶片的形式(包含已完成装置和/或未完成装置)时对装置的频繁且详细的检验。
本说明书中使用的术语“样本”应当被广泛地解释为涵盖用于制造半导体集成电路、磁头、平板显示器和其它半导体制造的物品的任何种类的晶片、掩膜和其它结构、上述的组合和/或上述的部分。
除非另作具体声明,否则本说明书中使用的术语“检查”应当被广泛地解释为涵盖对物品中的缺陷的任何种类的检测和/或分类。检查是在制造待检查的物品期间或之后通过使用例如非破坏性检查工具来提供的。通过非限制性示例,检查工艺可以包含使用一个或多个检查工具扫描(单次或多次扫描)、采样、审查、测量、分类和/或关于物品或其部分提供的其它操作。同样,检查可以提供在制造待检查的物品之前,并且可以包含,例如,产生(多个)检查方案。应注意,除非另作具体声明,否则本说明书中使用的术语“检查”或其衍生词不限于与所检验面积的大小、扫描的速度或分辨率或检查工具的类型有关。通过非限制性示例,各种非破坏性检查工具包含光学工具、扫描电子显微镜、原子力显微镜等等。
检查工艺可以包含多个检查步骤。在制造工艺期间,例如,在对某些层的制造或处理或类似处理之后,检查步骤可以执行多次。另外或替代地,例如,针对不同的晶片位置或针对具有不同检查设置的相同晶片位置,每个检查步骤可以重复多次。
通过非限制性示例,运行状态下(run-time)的检查可以采用两步过程,例如,检验样本并接着审查采样缺陷。在检验步骤期间,样本或其部分的表面(例如,关注区域、热点等等)通常以相对高速度和/或低分辨率来扫描。所捕获的检验图像被分析以便检测缺陷并获得所述缺陷的位置和其它检验属性。在审查步骤处,在检验阶段期间检测到的至少部分缺陷的图像通常是以相对低的速度和/或高分辨率而被捕获的,由此实现了分类以及,可选地,至少部分缺陷的其它分析。在一些情况下,两个阶段皆可以由相同检验工具来实现,并且在一些其它情况下,这两个阶段由不同的检验工具来实现。
检查大体上涉及通过将光或电子引导至晶片并检测来自晶片的光或电子来产生晶片的一些输出(例如,图像、信号等等)。一旦已经产生输出,缺陷检测通常通过对输出应用缺陷检测方法和/或算法来执行。最经常地,检查的目的是提供对关注缺陷的高敏感度,同时抑制检测晶片上的滋扰(nuisance)和噪声。
在本领域中需要改良缺陷检测的敏感度。
发明内容
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