[发明专利]一种图形化蓝宝石衬底及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811026247.5 申请日: 2018-09-04
公开(公告)号: CN109166952B 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 孙逊运 申请(专利权)人: 孙逊运
主分类号: H01L33/20 分类号: H01L33/20;H01L33/22;H01L33/16
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人: 贾颜维
地址: 哥伦比亚,*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 一种 图形 蓝宝石 衬底 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种图形化蓝宝石衬底,其特征在于,包括蓝宝石平片和在其表面形成的图形化的含硅有机涂层;

所述含硅有机涂层中硅含量为20-45%;

所述含硅有机涂层的折射率≤1.7;

所述含硅有机涂层主要由含硅树脂和固化剂加热固化而成;

所述含硅有机涂层的主要成分为聚硅氧烷树脂、聚倍半硅氧烷树脂、改性硅氧烷树脂等中的一种或几种的混合物溶液;

所述图形化蓝宝石衬底的制备方法,包括如下步骤:

(a)在蓝宝石平片表面涂覆形成含硅有机涂层;

(b)在含硅有机涂层表面涂覆光刻胶形成光刻胶层,光刻形成掩膜图形;

(c)在光刻胶层的保护下刻蚀含硅有机涂层,将图形转移至含硅有机涂层,去除光刻胶,得到所述图形化蓝宝石衬底;

步骤(a)中,将含硅有机材料涂覆于蓝宝石平片表面,加热固化形成含硅有机涂层;

所述步骤(b)中,先在含硅有机涂层表面涂覆耐刻蚀涂层,然后在耐刻蚀涂层表面涂覆光刻胶层,在光刻胶层光刻形成掩膜图形;

通过烘烤、曝光和显影,在光刻胶层上形成掩膜图形;

所述耐刻蚀涂层为有机耐刻蚀材料;

所述光刻胶层为高含硅光刻胶层;

所述步骤(c)中,在光刻胶层的保护下先刻蚀耐刻蚀涂层,然后刻蚀光刻胶层、耐刻蚀涂层和含硅有机涂层,将图形转移至含硅有机涂层,得到所述图形化蓝宝石衬底;

所述步骤(c)中通过等离子体刻蚀含硅有机涂层,将图形转移至含硅有机涂层。

2.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底,其特征在于,所述含硅有机涂层的折射率为1.3-1.7。

3.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底,其特征在于,所述耐刻蚀涂层的厚度为1-3μm。

4.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底,其特征在于,所述耐刻蚀涂层的厚度为1.5-2.5μm。

5.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底,其特征在于,所述光刻胶层的厚度为0.1-1um。

6.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底,其特征在于,所述光刻胶层的厚度为0.2-0.5um。

7.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底,其特征在于,所述含硅有机涂层的厚度为2.3±1μm。

8.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底,其特征在于,所述含硅有机涂层的厚度为2.3±0.5μm。

9.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底,其特征在于,所述步骤(c)中通过等离子体刻蚀含硅有机涂层,将图形转移至含硅有机涂层,至露出蓝宝石平片即可。

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