[发明专利]一种图形化蓝宝石衬底及其制备方法有效
申请号: | 201811026247.5 | 申请日: | 2018-09-04 |
公开(公告)号: | CN109166952B | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 孙逊运 | 申请(专利权)人: | 孙逊运 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/22;H01L33/16 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 贾颜维 |
地址: | 哥伦比亚,*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 图形 蓝宝石 衬底 及其 制备 方法 | ||
1.一种图形化蓝宝石衬底,其特征在于,包括蓝宝石平片和在其表面形成的图形化的含硅有机涂层;
所述含硅有机涂层中硅含量为20-45%;
所述含硅有机涂层的折射率≤1.7;
所述含硅有机涂层主要由含硅树脂和固化剂加热固化而成;
所述含硅有机涂层的主要成分为聚硅氧烷树脂、聚倍半硅氧烷树脂、改性硅氧烷树脂等中的一种或几种的混合物溶液;
所述图形化蓝宝石衬底的制备方法,包括如下步骤:
(a)在蓝宝石平片表面涂覆形成含硅有机涂层;
(b)在含硅有机涂层表面涂覆光刻胶形成光刻胶层,光刻形成掩膜图形;
(c)在光刻胶层的保护下刻蚀含硅有机涂层,将图形转移至含硅有机涂层,去除光刻胶,得到所述图形化蓝宝石衬底;
步骤(a)中,将含硅有机材料涂覆于蓝宝石平片表面,加热固化形成含硅有机涂层;
所述步骤(b)中,先在含硅有机涂层表面涂覆耐刻蚀涂层,然后在耐刻蚀涂层表面涂覆光刻胶层,在光刻胶层光刻形成掩膜图形;
通过烘烤、曝光和显影,在光刻胶层上形成掩膜图形;
所述耐刻蚀涂层为有机耐刻蚀材料;
所述光刻胶层为高含硅光刻胶层;
所述步骤(c)中,在光刻胶层的保护下先刻蚀耐刻蚀涂层,然后刻蚀光刻胶层、耐刻蚀涂层和含硅有机涂层,将图形转移至含硅有机涂层,得到所述图形化蓝宝石衬底;
所述步骤(c)中通过等离子体刻蚀含硅有机涂层,将图形转移至含硅有机涂层。
2.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底,其特征在于,所述含硅有机涂层的折射率为1.3-1.7。
3.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底,其特征在于,所述耐刻蚀涂层的厚度为1-3μm。
4.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底,其特征在于,所述耐刻蚀涂层的厚度为1.5-2.5μm。
5.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底,其特征在于,所述光刻胶层的厚度为0.1-1um。
6.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底,其特征在于,所述光刻胶层的厚度为0.2-0.5um。
7.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底,其特征在于,所述含硅有机涂层的厚度为2.3±1μm。
8.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底,其特征在于,所述含硅有机涂层的厚度为2.3±0.5μm。
9.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底,其特征在于,所述步骤(c)中通过等离子体刻蚀含硅有机涂层,将图形转移至含硅有机涂层,至露出蓝宝石平片即可。
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