[发明专利]一种柔性显示基板的制备方法在审
申请号: | 201810974575.1 | 申请日: | 2018-08-24 |
公开(公告)号: | CN109087936A | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | 杨静;谢明哲 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00;H01L21/77 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 柔性显示 基板 制备 激光剥离 分离层 附着力 机械分离 显示基板 显示元件 易分离 钢性 背面 损伤 受损 | ||
1.一种柔性显示基板的制备方法,其特征在于,包括以下制备步骤:
在刚性衬底上形成易分离结构;所述易分离结构包括第一分离层和第二分离层,所述第一分离层相较于所述第二分离层更靠近刚性衬底形成;
在易分离结构上形成柔性衬底;
在柔性衬底上形成显示元件;
对易分离结构的第一分离层和第二分离层进行机械分离,以使刚性衬底与柔性衬底分离;其中,第一分离层与刚性衬底之间的附着力大于所述第一分离层与第二分离层之间的附着力。
2.根据权利要求1所述的柔性显示基板的制备方法,其特征在于,所述形成易分离结构包括:
形成钼金属层的步骤;以及将钼金属层背离刚性衬底的一侧的表面氧化形成氧化钼薄膜的步骤,其中,未被氧化的钼金属层为第一分离层,氧化钼薄膜为第二分离层。
3.根据权利要求2所述的柔性显示基板的制备方法,其特征在于,所述形成易分离结构的步骤中,在形成氧化钼薄膜之前还包括:
将钼金属层图案化的步骤,且所述柔性衬底至刚性衬底的正投影落入图案化的钼金属层至刚性衬底的正投影范围内。
4.根据权利要求2所述的柔性显示基板的制备方法,其特征在于,所述氧化钼薄膜的厚度为10埃米-100埃米。
5.根据权利要求1所述的柔性显示基板的制备方法,其特征在于,所述形成柔性衬底包括采用有机材料形成第一柔性层的步骤。
6.根据权利要求5所述的柔性显示基板的制备方法,其特征在于,所述形成第一柔性层包括采用聚酰亚胺溶液涂覆形成第一柔性层。
7.根据权利要求5所述的柔性显示基板的制备方法,其特征在于,所述第一柔性层的厚度为10-20μm。
8.根据权利要求5所述的柔性显示基板的制备方法,其特征在于,所述形成柔性衬底的步骤中,在形成第一柔性层之前还包括:采用无机绝缘材料形成调节层的步骤。
9.根据权利要求8所述的柔性显示基板的制备方法,其特征在于,所述调节层的厚度为10埃米-800埃米。
10.根据权利要求8所述的柔性显示基板的制备方法,其特征在于,所述无机绝缘材料包括氧化硅或氮化硅。
11.根据权利要求1所述的柔性显示基板的制备方法,其特征在于,所述柔性显示基板为柔性OLED显示基板,所述在柔性衬底上形成显示元件包括:
形成TFT阵列结构的步骤,形成有机发光单元的步骤,以及形成封装层的步骤。
12.根据权利要求1所述的柔性显示基板的制备方法,其特征在于,所述刚性衬底与柔性衬底分离之后还包括:
在柔性衬底的背离显示元件的一侧贴附保护膜的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的