[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

形成衬底，所述衬底包括隔离区，所述隔离区的衬底上形成有伪鳍部；

在所述伪鳍部露出的衬底上形成第一隔离层，所述第一隔离层至少覆盖所述伪鳍部的部分侧壁；

形成所述第一隔离层后，对所述隔离区的衬底进行离子掺杂处理，在所述隔离区的衬底内形成阱区；

在所述隔离区的衬底内形成阱区后，刻蚀所述伪鳍部。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述伪鳍部露出的衬底上形成第一隔离层的步骤包括：在所述伪鳍部露出的衬底上形成第一隔离膜，所述第一隔离膜覆盖所述伪鳍部顶部；

对所述第一隔离膜顶部进行平坦化处理，保留剩余的第一隔离膜作为所述第一隔离层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述第一隔离膜顶部进行平坦化处理的步骤中，所述平坦化处理采用的工艺为化学机械研磨工艺和干法刻蚀工艺中的一种或两种。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一隔离层的厚度为100nm至200nm。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述伪鳍部露出的衬底上形成第一隔离层之前，所述伪鳍部顶部形成有鳍部掩膜层；

在所述伪鳍部露出的衬底上形成第一隔离层的步骤中，所述第一隔离层顶部与所述鳍部掩膜层顶部齐平。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述隔离区的衬底进行离子掺杂处理的步骤中，所述离子掺杂处理采用的工艺为离子注入工艺。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述离子掺杂处理的参数包括：注入离子为N型离子，注入能量为100KeV至250KeV，注入剂量为1.0E13原子每平方厘米至1.0E15原子每平方厘米，注入角度为0度至15度；

或者，

注入离子为P型离子，注入能量为40KeV至80KeV，注入剂量为1.0E13原子每平方厘米至1.0E15原子每平方厘米，注入角度为0度至15度。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述衬底的步骤中，所述衬底还包括器件区；

形成所述衬底和伪鳍部的步骤包括：提供初始基底；图形化所述初始基底，形成衬底以及凸出于所述衬底的鳍部，所述衬底包括相邻的所述器件区和隔离区，位于所述隔离区的衬底上的鳍部用于作为所述伪鳍部。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述衬底和鳍部后，沿所述鳍部的延伸方向，所述鳍部横跨所述器件区和隔离区。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述隔离区的衬底内形成阱区后，还包括：刻蚀所述第一隔离层；

刻蚀所述伪鳍部和第一隔离层后，在所述隔离区的衬底上形成第二隔离层。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二隔离层和所述第一隔离层的材料相同。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀伪鳍部的工艺为干法刻蚀工艺。

13.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括隔离区；

伪鳍部，凸出于所述隔离区的衬底上；

隔离层，位于所述伪鳍部露出的衬底上，所述隔离层至少覆盖所述伪鳍部的部分侧壁；

阱区，位于所述隔离区的衬底内。

14.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离层的厚度为100nm至200nm。