[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法

说明书

本发明公开一种半导体存储器装置，包括存储器单元阵列、外围电路和控制逻辑。存储器单元阵列包括多个存储块。外围电路对多个存储块之中的选择的存储块执行读取操作。控制逻辑控制外围电路的读取操作。选择的存储块联接到多个位线，并且多个位线被分组成多个位线组。外围电路通过分别向多个位线组施加不同参考电流来执行数据感测。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年12月27日提交的申请号为10-2017-0181079的韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请通过引用全部并入本文。

技术领域

本公开的各个示例性实施例总体涉及一种电子装置。特别地，实施例涉及一种半导体存储器装置及其操作方法。

背景技术

存储器装置可以二维结构形成或以三维结构形成，在二维结构中，串平行于半导体衬底布置，在三维结构中，串垂直于半导体衬底布置。三维半导体存储器装置被设计以克服二维半导体装置中的集成度限制，并且可包括垂直堆叠在半导体衬底上的多个存储器单元。

发明内容

实施例提供了一种操作速度提高的半导体存储器装置。

实施例还提供了一种用于以提高的操作速度操作半导体存储器装置的方法。

根据本公开的方面，提供了一种半导体存储器装置，包括：存储器单元阵列，包括多个存储块；外围电路，被配置成对多个存储块之中的选择的存储块执行读取操作；以及控制逻辑，被配置成控制外围电路的读取操作，其中选择的存储块联接到多个位线，并且多个位线被分组成多个位线组，其中外围电路通过分别向多个位线组施加不同参考电流来执行数据感测。

外围电路可包括：第一页面缓冲电路，联接到多个位线组之中的第一位线组；以及第二页面缓冲电路，联接到多个位线组之中的第二位线组。第一页面缓冲电路可使用第一参考电流来执行数据感测，并且第二页面缓冲电路可使用不同于第一参考电流的第二参考电流来执行数据感测。

第一参考电流可对应于第一读取电压，并且第二参考电流可对应于不同于第一读取电压的第二读取电压。

当选择页面的读取操作失败时，控制逻辑可控制外围电路通过改变第一参考电流和第二参考电流来重复读取操作。

根据本公开的方面，提供了一种用于操作半导体存储器装置的方法，该方法包括：接收读取命令；使用参考电流组，对多个存储器单元执行感测操作；根据感测操作的结果，确定读取操作是否成功；以及基于确定的结果，改变参考电流组。

基于确定的结果改变参考电流组可包括：当读取操作失败时，确定读取操作失败的次数是否已经达到预定临界值；当读取操作失败的次数还未达到临界值时，改变参考电流组；以及使用改变的参考电流组，对多个存储器单元执行感测操作。

参考电流组可包括第一参考电流和第二参考电流。第一参考电流可对应于第一读取电压，第二参考电流可对应于不同于第一读取电压的第二读取电压。

根据本公开的方面，提供了一种用于操作半导体存储器装置的方法，该方法包括：接收读取命令；使用第一参考电流和不同于第一参考电流的第二参考电流，对选择页面的存储器单元执行感测操作；基于使用第一参考电流的第一感测结果和使用第二参考电流的第二感测结果，确定第三读取电压；以及基于第三读取电压，对存储器单元执行感测操作。

第一感测结果可包括根据使用第一参考电流的感测操作的结果检测到的位错误的数量，并且第二感测结果可包括根据使用第二参考电流的感测操作的结果检测到的位错误的数量。

第一参考电流可对应于第一读取电压，第二参考电流可对应于不同于第一读取电压的第二读取电压，并且第三参考电流可对应于第三读取电压。

该方法可进一步包括：当基于第三读取电压的感测操作失败时，通过重复执行感测来对存储器单元执行感测操作。