[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，包括：

存储器单元阵列，包括多个存储块；

外围电路，对所述多个存储块之中的选择的存储块执行读取操作；以及

控制逻辑，控制所述外围电路的读取操作，

其中所述选择的存储块联接到多个位线，并且所述多个位线被分组成多个位线组，

其中所述外围电路通过分别向所述多个位线组施加不同参考电流来执行数据感测。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述外围电路包括：

第一页面缓冲电路，联接到所述多个位线组之中的第一位线组；以及

第二页面缓冲电路，联接到所述多个位线组之中的第二位线组，

其中所述第一页面缓冲电路使用第一参考电流来执行数据感测，并且所述第二页面缓冲电路使用不同于所述第一参考电流的第二参考电流来执行数据感测。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中所述第一参考电流对应于第一读取电压，并且所述第二参考电流对应于不同于所述第一读取电压的第二读取电压。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中当选择页面的读取操作失败时，所述控制逻辑控制所述外围电路通过改变所述第一参考电流和所述第二参考电流来重复所述读取操作。