[发明专利]一种超薄芯片的封装结构

说明书

本发明公开了一种超薄芯片的封装结构，用以解决现有技术中存在IGBT芯片会由于底座的热膨胀系数大而发生翘曲，进而导致器件失效的问题。本发明中的超薄芯片的封装结构，在引线框架的芯片座上开设预定形状大小的芯片槽，在芯片槽内装配热膨胀系数小于芯片座的第一垫片，所述芯片焊接在第一垫片之上，且第一垫片与芯片之间电连接。如此，由于第一垫片的人膨胀系数小于引线框架，芯片与第一垫片的封装应力较为匹配，在温度发生变化时，第一垫片发生的翘曲会小于引线框架的翘曲，进而设置在第一垫片上的芯片的翘曲也会变小，故而由于封装应力不匹配而导致芯片内部晶胞损伤，的可能性便小，提高器件封装结构良率及可靠性。

技术领域

本发明涉及无线通信技术领域，特别涉及一种超薄芯片的封装结构。

背景技术

随着芯片制造技术的不断发展，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)芯片厚度不断减薄，随即芯片的机械强度也越来越差；传统封装结构中芯片通过结合材直接焊接在铜框架上，由于铜材的热膨胀系数较大，会导致封装应力不匹配从而使芯片出现翘曲，导致芯片内部晶胞损伤或因为芯片翘曲出现能带弯曲，最终器件失效。

综上所述，现有的IGBT芯片会由于底座的热膨胀系数大而发生翘曲，进而导致器件失效。

发明内容

本发明提供一种超薄芯片的封装结构，用以解决现有技术中存在IGBT芯片会由于底座的热膨胀系数大而发生翘曲，进而导致器件失效的问题。

本发明实施例提供一种超薄芯片的封装结构，该封装结构包括芯片和用于承载芯片的引线框架，所述引线框架包括芯片座；所述芯片座上设置的芯片槽内装配有热膨胀系数小于芯片座的第一垫片；所述芯片设置在所述芯片槽内的第一垫片上，其中所述芯片与所述芯片槽内的第一垫片电连接。

本发明中的超薄芯片的封装结构，在引线框架的芯片座上开设预定形状大小的芯片槽，在芯片槽内装配热膨胀系数小于芯片座的第一垫片，所述芯片焊接在第一垫片之上，且第一垫片与芯片之间电连接。如此，由于第一垫片的人膨胀系数小于引线框架，芯片与第一垫片的封装应力较为匹配，在温度发生变化时，第一垫片发生的翘曲会小于引线框架的翘曲，进而设置在第一垫片上的芯片的翘曲也会变小，故而由于封装应力不匹配而导致芯片内部晶胞损伤，的可能性便小，提高器件封装结构良率及可靠性。

在一种可能的实施方式中，所述第一垫片可以通过过盈配合、锡膏焊接或者电阻焊的方式设置到所述芯片座上的芯片槽内。

上述封装结构，所述第一垫片通过过盈配合、锡膏焊接、电阻焊的方式设置到引线框架的芯片座上开设的预定形状大小的芯片槽上，以承载芯片，并提供比将芯片直接焊接在芯片座上更匹配的封装应力，进而减小封装结构器件失效率。

在一种可能的实施方式中，所述芯片与所述芯片槽内的第一垫片通过焊接焊芯或者结合材实现电连接。

上述装置中，所述芯片与所述芯片槽内的第一垫片通过焊接焊芯或者结合材实现电连接，如此可以实现桥接电路、并在芯片工作时将其产生的热量带走。

在一种可能的实施方式中，其中所述第一垫片是由铜-钼合金材料制备的。

上述封装结构中，铜-钼合金具有小于芯片座的热膨胀系数，同时其具有良好的导电性和良好的导热性，可以作为本发明实施例中一种优选的材料。

在一种可能的实施方式中，所述芯片背离所述芯片座的一侧设置有第二垫片，其中所述芯片与所述位于所述芯片背离所述芯片座的一侧上的第二垫片电连接。