[发明专利]抗脱层半导体装置以及相关联的方法

说明书

一种抗脱层半导体装置包含导电层、半导体层和间隔件。所述导电层具有与第二侧相对的第一侧。所述半导体层处于所述第一侧上并且限定由所述导电层跨越的穿过所述半导体层的孔眼。所述间隔件处于所述第二侧上并且具有接近所述导电层的顶表面，所述顶表面限定由所述导电层跨越的盲孔。一种用于防止多层结构脱层的方法包含将第一层安置在衬底上使得所述第一层跨越所述衬底的孔眼的步骤。所述方法还包含将第二层安置在所述第一层上的步骤。所述第二层具有邻近所述第一层的盲孔，从而使得所述第一层跨越所述盲孔。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种抗脱层半导体装置以及相关联的方法。

背景技术

移动装置、机动车辆和其它消费电子产品通常包含至少一个相机。相机包含图像传感器，所述图像传感器是通过晶片级制造工艺、在单个图像传感器晶片上使用数百个额外的完全相同的图像传感器来制造的。图像传感器晶片具有若干层，所述若干层中的一些层易于在制造过程中脱层。这种晶片级脱层通常导致晶片的图像传感器中的一个或多个图像传感器不可操作。

发明内容

本发明第一方面的实施例提供一种抗脱层半导体装置，包括：

导电层，具有与第二侧相对的第一侧；

半导体层，处于所述第一侧上并且限定由所述导电层跨越的穿过所述半导体层的孔眼；和

间隔件，处于所述第二侧上并且具有接近所述导电层的顶表面，所述顶表面限定由所述导电层跨越的盲孔。

在本发明的一些实施例中，抗脱层半导体装置进一步包括重布层，所述重布层在所述半导体层的处于所述孔眼内的表面上并且被电连接到所述导电层。

在本发明的一些实施例中，抗脱层半导体装置进一步包括介电层，所述介电层至少部分地填充所述孔眼，所述重布层的区域处于所述半导体层与所述介电层之间。

在本发明的一些实施例中，抗脱层半导体装置进一步包括介电层，所述介电层至少部分地填充所述孔眼。

在本发明的一些实施例中，所述导电层包括穿插有介电层的导电层堆叠。

在本发明的一些实施例中，所述盲孔具有至少十微米的深度。

在本发明的一些实施例中，在垂直于所述顶表面的方向上，所述间隔件具有处于所述盲孔内、超过十微米的最小厚度。

在本发明的一些实施例中，所述盲孔的宽度等于或超过接近所述导电层的所述孔眼的宽度。

在本发明的一些实施例中，所述间隔件由电绝缘体形成。

本发明第二方面的实施例提供一种用于防止多层结构脱层的方法，包括：

将第一层安置在衬底上，从而使得所述第一层跨越所述衬底的孔眼；和

将第二层安置在所述第一层上，所述第二层具有邻近所述第一层的盲孔，从而使得所述第一层跨越所述盲孔。

在本发明的一些实施例中，所述衬底具有接近所述第一层的第一衬底表面以及与所述第一衬底表面相对的第二衬底表面，并且所述方法进一步包括：

将第三层沉积在所述第二衬底表面上，从而使得所述第三层的一部分至少部分地填充所述孔眼。

在本发明的一些实施例中，所述衬底具有接近所述第一层的第一衬底表面以及与所述第一衬底表面相对的第二衬底表面，并且所述方法进一步包括：

将导电层沉积在所述第二衬底表面上，从而使得所述导电层的区域涂布所述孔眼的孔眼表面和邻近所述孔眼的所述第一层的表面。

在本发明的一些实施例中，在安置第二层的步骤中，所述第二层由电绝缘体形成。