[发明专利]抗脱层半导体装置以及相关联的方法

权利要求书

1.一种抗脱层半导体装置，包括：

导电层，具有与第二侧相对的第一侧；

半导体层，处于所述第一侧上并且限定由所述导电层跨越的穿过所述半导体层的孔眼；和

间隔件，处于所述第二侧上并且具有接近所述导电层的顶表面，所述顶表面限定由所述导电层跨越的盲孔，且所述导电层延伸超出所述盲孔的两边，

其中在垂直于所述顶表面的方向上，所述间隔件具有处于所述盲孔内、超过十微米的最小厚度，以及在所述盲孔周围的在20至60μm的范围内的最大厚度，且

其中所述盲孔具有至少十微米的深度和在50至100μm范围内的宽度，且所述盲孔的深度受限于所述间隔件处于所述盲孔内的厚度，且所述盲孔的宽度受限于所述间隔件的侧壁宽度和所述导电层的宽度；

其中所述孔眼的宽度在40至60μm的范围内。

2.根据权利要求1所述的抗脱层半导体装置，进一步包括重布层，所述重布层在所述半导体层的处于所述孔眼内的表面上并且被电连接到所述导电层。

3.根据权利要求2所述的抗脱层半导体装置，进一步包括介电层，所述介电层至少部分地填充所述孔眼，所述重布层的区域处于所述半导体层与所述介电层之间。

4.根据权利要求1所述的抗脱层半导体装置，进一步包括介电层，所述介电层至少部分地填充所述孔眼。

5.根据权利要求1所述的抗脱层半导体装置，所述导电层包括穿插有介电层的导电层堆叠。

6.根据权利要求1所述的抗脱层半导体装置，所述盲孔的宽度等于或超过接近所述导电层的所述孔眼的宽度。

7.根据权利要求1所述的抗脱层半导体装置，所述间隔件由电绝缘体形成。

8.一种用于防止多层结构脱层的方法，包括：

将第一导电层安置在半导体衬底上，从而使得所述第一导电层跨越所述半导体衬底的孔眼；和

将第二层安置在所述第一导电层上，所述第二层具有邻近所述第一导电层的盲孔，从而使得所述第一导电层跨越所述盲孔，且所述第一导电层延伸超出所述盲孔的两边，

其中在垂直于所述第二层的方向上，所述第二层具有处于所述盲孔内、超过十微米的最小厚度，以及在所述盲孔周围的在20至60μm的范围内的最大厚度，且

其中所述盲孔具有至少十微米的深度和在50至100μm范围内的宽度，且所述盲孔的深度受限于所述第二层处于所述盲孔内的厚度，且所述盲孔的宽度受限于所述第二层的侧壁宽度和所述第一导电层的宽度；

其中所述孔眼的宽度在40至60μm的范围内。

9.根据权利要求8所述的方法，所述半导体衬底具有接近所述第一导电层的第一衬底表面以及与所述第一衬底表面相对的第二衬底表面，并且所述方法进一步包括：

将第三层沉积在所述第二衬底表面上，从而使得所述第三层的一部分至少部分地填充所述孔眼。

10.根据权利要求8所述的方法，所述半导体衬底具有接近所述第一导电层的第一衬底表面以及与所述第一衬底表面相对的第二衬底表面，并且所述方法进一步包括：

将导电层沉积在所述第二衬底表面上，从而使得所述导电层的区域涂布所述孔眼的孔眼表面和邻近所述孔眼的所述第一导电层的表面。

11.根据权利要求8所述的方法，在安置第二层的步骤中，所述第二层由电绝缘体形成。