[发明专利]一种高导热高绝缘封装基板及其制备方法

权利要求书

1.一种高导热高绝缘封装基板，其特征在于：所述高导热高绝缘封装基板包括：

一单面或双面覆铜的陶瓷板；

第一层线路，加成电镀在陶瓷板的覆铜面上，在第一层线路上加成电镀有第一导通铜柱和第一散热铜柱；

第一绝缘层，压合覆盖在第一层线路上；

第二层线路，加成电镀在第一绝缘层的上表面，在第二层线路上加成电镀有第二导通铜柱和第二散热铜柱；

第二绝缘层，压合覆盖在在第二层线路上；

第三层线路，加成电镀在第二绝缘层的上表面；

其中第一导通铜柱、第一散热铜柱分别露出第一绝缘层与第二层线路相连接，第二导通铜柱和第二散热铜柱分别露出第二绝缘层与第三层线路相连接。

2.根据权利要求1所述的高导热高绝缘封装基板，其特征在于：所述第一散热铜柱和第二散热铜柱为同轴设置，第一散热铜柱和第二散热铜柱的直径为50μm～3.0mm，第一导通铜柱和第二导通铜柱的直径最小为0.05mm。

3.一种高导热封装基板的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)在陶瓷板的覆铜面上加成制作第一层线路；

2)在第一层线路上制作与第二层线路相导通的第一导通铜柱和第一散热铜柱，对第一导通铜柱和第一散热铜柱进行电镀；

3)接着在第一层线路上压合第一绝缘层，并对第一绝缘层的上表面进行研磨使露出第一导通铜柱和第一散热铜柱；

4)在第一绝缘层上沉积一层导电种子铜，采用加成法工艺制作第二层线路；

5)第二层线路上制作与第三层线路相导通的第二导通铜柱和第二散热铜柱，对第二导通铜柱和第二散热铜柱进行电镀；

6)在第二层线路上压合第二绝缘层，并对第二绝缘层的上表面进行研磨使露出第二导通铜柱和第二散热铜柱；

7)在第二绝缘层上沉积一层导电种子铜，采用加成法工艺制作第三层线路。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述步骤1)的陶瓷板为单面覆铜或者双面覆铜。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述步骤2)和步骤5)的第一导通铜柱和第二导通铜柱的的直径最小为0.05mm；所述第一散热铜柱和第二散热铜柱为同轴设置，第一散热铜柱和第二散热铜柱的直径为50μm～3.0mm。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述步骤1)的第一层线路的制作工艺流程为：压膜→曝光→显影→电镀。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述步骤2)的第一导通铜柱和第一散热铜柱的制作工艺流程为：压膜→曝光→显影→电镀第一导通铜柱和第一散热铜柱。

8.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述步骤4)中加成法工艺制作第二层线路的工艺流程为：种子铜→压膜→曝光→显影→电镀线路。

9.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述步骤5)第二导通铜柱和第二散热铜柱的制作工艺流程为：压膜→曝光→显影→电镀第二导通铜柱和第二散热铜柱→退膜→退种子铜。

10.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述步骤7)中加成法工艺制作第三层线路的工艺流程为：种子铜→压膜→曝光→显影→电镀线路→退膜→退种子铜。