[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201810523854.6 | 申请日： | 2012-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN108735697A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 长田昌也 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L27/146;H01L23/544;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 竖直孔 半导体基板 半导体装置 基底材料 金属膜 绝缘膜 探针测试 配线 探针接触区域 导电保护膜 制造过程 电极 电连接 膜表面 侧壁 制造 | ||
1.一种半导体装置，包括：
基底材料部分，包括半导体基板和形成在所述半导体基板的一个面上的绝缘膜，而且沿着所述半导体基板的厚度方向、在所述基底材料部分中形成有孔；
孔配线部分，包括在所述基底材料部分的形成所述孔的侧壁上形成的孔电极；
金属膜，形成在所述绝缘膜内，并且电连接到所述孔配线部分；
导电保护膜，设置在与所述孔的开口部分相对的位置处，并且形成为与所述绝缘膜内的所述金属膜物理接触，
其中所述导电保护膜设置在所述金属膜的半导体基板侧；并且
其中所述金属膜在外圆周端部附近的区域被所述绝缘膜覆盖。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述绝缘膜的开口部分的开口区域小于所述金属膜的区域。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述导电保护膜设置在与所述孔的开口部分相对的位置处。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述导电保护膜包括Au膜、Ni膜和Cu膜中的任一种。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述导电保护膜包括以下中的至少一种：W膜；Ti膜；TiN膜和Ti膜的层叠膜；以及TaN膜和Ta膜的层叠膜。
6.一种半导体装置，包括：
基底材料部分，包括半导体基板和形成在所述半导体基板的一个面上的绝缘膜，而且沿着所述半导体基板的厚度方向、在所述基底材料部分中形成有孔；
孔配线部分，包括在所述基底材料部分的形成所述孔的侧壁上形成的孔电极；
金属膜，形成在所述绝缘膜内，并且电连接到所述孔配线部分；
导电保护膜，设置在与所述孔的开口部分相对的位置处，并且形成为与所述绝缘膜内的所述金属膜物理接触，
其中所述金属膜设置在所述所述导电保护膜的半导体基板侧；并且
其中所述导电保护膜在外圆周端部附近的区域被所述绝缘膜覆盖。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，
其中所述绝缘膜的开口部分的开口区域小于所述导电保护膜的区域。
8.根据权利要求6所述的半导体装置，
其中所述导电保护膜设置在与所述孔的开口部分相对的位置处。
9.根据权利要求6所述的半导体装置，
其中所述导电保护膜包括Au膜、Ni膜和Cu膜中的任一种。
10.根据权利要求6所述的半导体装置，
其中所述导电保护膜包括以下中的至少一种：W膜；Ti膜；TiN膜和Ti膜的层叠膜；以及TaN膜和Ta膜的层叠膜。
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