[发明专利]一种立体光源结构

说明书

一种立体光源结构，包括中心芯片、横向芯片以及纵向芯片，所述横向芯片与所述纵向芯片分别与所述中心芯片连接，所述横向芯片与所述中心芯片之间用锌片将电极对应连接，所述纵向芯片与所述中心芯片之间用锌片将电极对应连接，各所述中心芯片、横向芯片以及纵向芯片的横截面均为长方形，且下表面均设有外延结构；其中，所述中心芯片四周均分别设有P电极和N电极；所述横向芯片左侧面和有侧面均分别设有P电极和N电极；所述纵向芯片上侧面和下侧面均分别设有P电极和N电极。

技术领域

本发明涉及半导体照明领域，尤其是一种立体光源结构。

背景技术

目前，生产中常见的实现白光LED的工艺方法有如下三种：在蓝光LED芯片上激发YAG荧光粉，其所发出的黄绿光与蓝光合成白光，然而，使用这种技术发出的白光的光谱中缺失红色部分，显色性较差，难以满足低色温的照明要求；使用RGB三基色多个芯片或多个器件发光混色成白光，或者用蓝加黄色双芯片补色产生白光，此种方法虽然可以通过选择合适的波长与强度来获得更好的显色指数，但是芯片性能的差异使得驱动电路过于复杂且散热成为难题；在紫外光芯片上涂RGB荧光粉，利用紫光激发荧光粉产生三基色光混色形成白光，然而由于目前的紫外光芯片和RGB荧光粉效率较低且成本昂贵，该技术仍未达到实用阶段。

不同颜色的发光二极管是由不同的材料体系制备的，对于黄色、橙色、红色光发光二极管，现在性能最好的是利用铝镓铟磷材料制备的，是在GaAs(砷化镓)衬底上生长的，其外延材料结构由下至上依次为GaAs衬底、GaAs缓冲层、n型铝镓铟磷[(Al_xGa_1-x)_0.5In_0.5P]下限制层、本征铝镓铟磷[(Al_xGa_1-x)_0.5In_0.5P/(Al_yGa_1-y)_0.5In_0.5P](x≠y)发光区(也叫有源区)、p型铝镓铟磷[(Al_xGa_1-x)_0.5In_0.5P]上限制层和p型GaP(磷化镓)电流扩展层。

现有的LED光源都是点发光或者面光源，有限特殊场所需要立体光源，为满足人们高层次的高品位视觉要求，需要开发立体光源。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种光输出能力高，不会产生含砷废液，减少了环境污染，光色品质好，可靠性高的立体光源。

本发明的目的是采用以下技术方案来实现的：

一种立体光源结构，包括芯片层，所述芯片层包括中心芯片、横向芯片以及纵向芯片，所述横向芯片与所述纵向芯片分别与所述中心芯片连接，所述横向芯片与所述中心芯片之间用锌片将电极对应连接，所述纵向芯片与所述中心芯片之间用锌片将电极对应连接，各所述中心芯片、横向芯片以及纵向芯片的横截面均为长方形，且下表面均设有外延结构；其中，

所述中心芯片四周均分别设有P电极和N电极；

所述横向芯片左侧面和右侧面均分别设有P电极和N电极；

所述纵向芯片上侧面和下侧面均分别设有P电极和N电极。

具体地，所述外延结构包括从下到上依次设置的钻石衬底、碳化硅过渡层、氮化铝过渡层、GaP缓冲层、GaP电流扩展和欧姆接触层、AlGaInP过渡和下限制层、发光层、AlGaInP上限制层以及窗口层。