[发明专利]一种立体光源结构

权利要求书

1.一种立体光源结构，其特征在于，包括芯片层，所述芯片层包括中心芯片、横向芯片以及纵向芯片，所述横向芯片与所述纵向芯片分别与所述中心芯片连接，所述横向芯片与所述中心芯片之间用锌片将电极对应连接，所述纵向芯片与所述中心芯片之间用锌片将电极对应连接，各所述中心芯片、横向芯片以及纵向芯片的横截面均为长方形，且下表面均设有外延结构,所述锌片固定在弯曲梁上，所述弯曲梁上还设有导电碳纳米管，且所述立体光源结构也通过所述导电碳纳米管与外部电路连接；其中，

所述中心芯片四周均分别设有P电极和N电极；

所述横向芯片左侧面和右侧面均分别设有P电极和N电极；

所述纵向芯片上侧面和下侧面均分别设有P电极和N电极。

2.如权利要求1所述的立体光源结构，其特征在于，所述外延结构包括从下到上依次设置的钻石衬底、碳化硅过渡层、氮化铝过渡层、GaP缓冲层、GaP电流扩展和欧姆接触层、AlGaInP过渡和下限制层、发光层、AlGaInP上限制层以及窗口层。

3.如权利要求2所述的立体光源结构，其特征在于，所述发光层为多量子阱AlGaInP有源区，所述多量子阱AlGaInP有源区的阱垒组成为：阱(Al_xGa_1-x)InP/垒(Al_yGa_1-y)InP，其中0≤x≤0.4，0.5≤y≤1.0；所述AlGaInP上限制层的组成为：(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP，其中0≤x,y≤1。

4.如权利要求2所述的立体光源结构，其特征在于，所述GaP缓冲层的主要由磷化镓制成，从下到上依次设置有低温GaP缓冲层和高温GaP缓冲层，所述低温GaP缓冲层的厚度为15nm～25nm，所述高温GaP缓冲层的厚度为0.3um～1um。

5.如权利要求2所述的立体光源结构，其特征在于，所述GaP电流扩展和欧姆接触层的厚度为2um～5um，所述AlGaInP过渡和下限制层的厚度为0.5um～1.0um，所述AlGaInP上限制层的厚度为0.5um～1.0um，所述窗口层的厚度为4um～15um。

6.如权利要求1所述的立体光源结构，其特征在于，各所述中心芯片、横向芯片以及纵向芯片为并联或者是串并结合的连接方式。

7.如权利要求1所述的立体光源结构，其特征在于，各所述中心芯片、横向芯片以及纵向芯片之间还设有绝缘填充物，所述绝缘填充物为氧化钛或氧化硅。

8.如权利要求1所述的立体光源结构，其特征在于，各所述中心芯片、横向芯片以及纵向芯片上表面设有透明保护层，所述透明保护层由包含透明树脂和无机填料的树脂组合物的固化材料形成。