[发明专利]基于沟道阵列的异质结场效应晶体管及其制作方法和应用有效

申请号：	201810491766.2	申请日：	2018-05-21
公开（公告）号：	CN110518067B	公开（公告）日：	2023-03-07
发明（设计）人：	张晓东;张辉;张佩佩;郝荣晖;宋亮;于国浩;蔡勇;张宝顺	申请（专利权）人：	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号：	H01L29/778	分类号：	H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335
代理公司：	南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256	代理人：	王锋;赵世发
地址：	215123 江苏省苏州市***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	基于沟道阵列异质结场效应晶体管及其制作方法应用
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【权利要求书】：

1.一种基于沟道阵列的异质结场效应晶体管，包括异质结以及与所述异质结配合的源极、漏极和栅极，所述异质结中形成有二维电子气，所述源极与漏极通过所述二维电子气电连接；其特征在于：所述晶体管还包括形成在所述异质结上的第三半导体，所述第三半导体能够将分布于其下方的二维电子气耗尽，在所述栅极下方的第三半导体中还形成有由复数个第四半导体取向排列形成的半导体阵列，所述第四半导体的两端分别指向源极和漏极，并且所述第四半导体下方的二维电子气被保留而形成沟道阵列。

2.根据权利要求1所述的基于沟道阵列的异质结场效应晶体管，其特征在于：所述第四半导体的宽度为1nm-10μm。

3.根据权利要求1所述的基于沟道阵列的异质结场效应晶体管，其特征在于：所述第四半导体由所述第三半导体的第一区域经钝化处理形成。

4.根据权利要求3所述的基于沟道阵列的异质结场效应晶体管，其特征在于：所述钝化处理包括H等离子体或H扩散处理。

5.根据权利要求1所述的基于沟道阵列的异质结场效应晶体管，其特征在于：所述第三半导体中还形成有至少一阻挡区，所述阻挡区用于在所述第三半导体内阻断源极与漏极之间的电连接。

6.根据权利要求5所述的基于沟道阵列的异质结场效应晶体管，其特征在于：所述阻挡区由所述第三半导体的第二区域经钝化处理形成。

7.根据权利要求6所述的基于沟道阵列的异质结场效应晶体管，其特征在于：所述钝化处理包括H等离子体或H扩散处理。

8.根据权利要求5所述的基于沟道阵列的异质结场效应晶体管，其特征在于：所述阻挡区分布于源极与第四半导体之间和/或漏极与第四半导体之间。

9.根据权利要求5所述的基于沟道阵列的异质结场效应晶体管，其特征在于：所述阻挡区的材质包括HR-GaN。

10.根据权利要求1所述的基于沟道阵列的异质结场效应晶体管，其特征在于：所述异质结包括第一半导体和第二半导体，所述第二半导体形成于第一半导体上，且具有宽于第一半导体的带隙，所述第三半导体形成在第二半导体上。

11.根据权利要求10所述的基于沟道阵列的异质结场效应晶体管，其特征在于：所述源极、漏极与第二半导体形成欧姆接触。

12.根据权利要求10所述的基于沟道阵列的异质结场效应晶体管，其特征在于：所述第一半导体、第二半导体的材质选自III-V族化合物。

13.根据权利要求12所述的基于沟道阵列的异质结场效应晶体管，其特征在于：所述第一半导体、第二半导体的材质选自III族氮化物。