[发明专利]显示面板在审
| 申请号: | 201810447029.2 | 申请日: | 2014-02-11 |
| 公开(公告)号: | CN108666350A | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
| 发明(设计)人: | 李冠锋;林明昌;颜子旻 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 钝化层 第一电极 半导体层 底板 第二电极 上边缘 栅极层 通孔 栅极介电层 显示面板 一侧边缘 侧边缘 薄膜晶体管基板 电连接 暴露 贯穿 | ||
本发明公开一种显示面板,其薄膜晶体管基板包括底板、栅极层、栅极介电层、半导体层、第一电极层、第一钝化层、第二钝化层、通孔及第二电极层。栅极层位于底板上。半导体层位于底板上。栅极介电层位于栅极层与半导体层之间。第一电极层位于半导体层上。第一钝化层位于第一电极层上。第二钝化层位于第一钝化层上。通孔贯穿第一钝化层及第二钝化层,以暴露部分的第一电极层及部分的第一钝化层。第二电极层位于第二钝化层之上,并通过通孔与第一电极层电连接。其中,暴露的部分的第一钝化层包括第一侧边缘及第一上边缘,第二钝化层包括第二侧边缘,第一上边缘位于第一侧边缘与第二侧边缘之间,第二电极层接触第一上边缘。
本申请是中国发明专利申请(申请号:201410048562.3,申请日:2014年02月11日,发明名称:显示面板)的分案申请。
技术领域
本发明是有关于一种显示面板,且特别是有关于一种具有薄膜晶体管基板的显示面板。
背景技术
在显示面板的制作工艺中,若要让位于绝缘层上下两侧的导电层导通,会设计通孔(via or contact hole),使上下两侧的导电层能电连接。举例来说,使像素结构中像素电极与薄膜晶体管的漏极电连接的方法,就是在形成像素电极之前,先进行图案化制作工艺,于绝缘层中形成通孔,暴露底下的漏极,再镀上像素电极,则像素电极与漏极可通过此通孔电连接。
然而,随着高分辨率显示面板的发展,其结构与制作工艺也越加复杂,不同的导电层间可能间隔一层以上的绝缘层。由于不同绝缘层的成膜条件不同,在蚀刻形成通孔时,便容易形成倒角。这样的倒角易使通孔填补不完全,或于镀上导电层时发生断线,影响显示面板的品质。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示面板,具有特定的钝化层设计,能使通孔侧壁的钝化层接面平缓,避免其上电极层断线的情形。
根据本发明的第一方面,提出一种显示面板。显示面板包括薄膜晶体管基板、对向基板及位于两者之间的显示层。薄膜晶体管基板包括底板、栅极层、栅极介电层、半导体层、第一电极层、第一钝化层、第二钝化层及第二电极层。栅极层位于底板之上。栅极介电层位于栅极层之上。半导体层位于栅极介电层之上。第一电极层位于半导体层之上。第一钝化层位于第一电极层之上。第二钝化层位于第一钝化层之上,且具有通孔贯穿第一钝化层,以暴露部分的第一电极层。第二电极层位于第二钝化层之上,并通过通孔与第一电极层电连接。其中,第一钝化层在通孔侧边具有第一倾角,第二钝化层在通孔侧边具有第二倾角,第一倾角与第二倾角的角度差小于30度。
根据本发明的第二方面,提出一种显示面板。显示面板包括薄膜晶体管基板、对向基板及位于两者之间的显示层。薄膜晶体管基板包括底板、栅极层、栅极介电层、半导体层、第一电极层、第一钝化层、第二钝化层及第二电极层。栅极层位于底板之上。栅极介电层位于栅极层之上。半导体层位于栅极介电层之上。第一电极层位于半导体层之上。第一钝化层位于第一电极层之上。第二钝化层位于第一钝化层之上,并具有通孔贯穿第一钝化层,以暴露部分的第一电极层。第二电极层位于第二钝化层之上,并通过通孔与第一电极层电连接。其中,第二钝化层为多层钝化膜组成的多层结构,且该第二钝化层在该通孔侧边具有介于10-80度的一第二倾角。
附图说明
图1绘示依照本发明一实施例的显示装置的示意图。
图2A绘示依照本发明一实施例的薄膜晶体管基板的示意图。
图2B绘示图2A的区域A的放大示意图。
图3绘示依照本发明另一实施例的薄膜晶体管基板的示意图。
图4A-图4D绘示图2A及图3中通孔的制造方法的示意图。
符号说明
1:显示装置
10、11、12:薄膜晶体管基板
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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