[发明专利]氮化物半导体结构及半导体发光元件有效
| 申请号： | 201810345069.6 | 申请日： | 2013-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108550669B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 黄吉丰;林京亮;王信介;吴俊德;李玉柱;李俊杰 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 吴志红;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 结构 发光 元件 | ||
1.一种氮化物半导体结构，包括：
一基板；以及依次配置于基板上的：
一n型半导体层；
一发光层，具有一多重量子阱结构，该多重量子阱结构包含彼此交替堆叠的多个阱层及多个阻障层，且每两层所述阻障层间具有一所述阱层；
一应力控制层，应力控制层由AlxInyGa1-x-yN表示的材料所构成，其中，x及y满足0x1、0y1、0x+y1的数值；
一p型载子阻隔层，p型载子阻隔层由化学式AlxGa1-xN表示的材料所构成，其中0x1；以及
一p型半导体层，其中该应力控制层配置于该发光层与p型载子阻隔层之间，该p型载子阻隔层配置于该p型半导体层与该应力控制层之间；
其中，该应力控制层的铟含量低于或等于该多重量子阱结构的所述阱层的铟含量，且该应力控制层的能隙大于所述阱层的能隙；
其中，该应力控制层掺杂有浓度小于1019cm-3的p型掺质，及浓度小于1019cm-3的n型掺质。
2.一种氮化物半导体结构，包括：
一基板；以及依次配置于基板上的：
一n型半导体层；
一n型载子阻隔层，n型载子阻隔层由化学式AlxGa1-xN表示的材料所构成，其中0x1；
一发光层，具有一多重量子阱结构，该多重量子阱结构包含彼此交替堆叠的多个阱层及多个阻障层，且每两层所述阻障层间具有一所述阱层；
一应力控制层，应力控制层由AlxInyGa1-x-yN表示的材料所构成，其中，x及y满足0x1、0y1、0x+y1的数值；
一p型载子阻隔层，p型载子阻隔层由化学式AlxGa1-xN表示的材料所构成，其中0x1；以及
一p型半导体层，其中该n型载子阻隔层配置于该发光层与该n型半导体层，该应力控制层配置于该发光层与该p型载子阻隔层之间，该p型载子阻隔层配置于该p型半导体层与该应力控制层之间；
其中，该应力控制层的铟含量等于或低于该多重量子阱结构的所述阱层的铟含量，且该应力控制层的能隙大于所述阱层的能隙；
其中，该应力控制层掺杂有浓度小于1019cm-3的p型掺质，及浓度小于1019cm-3的n型掺质。
3.如权利要求1或2所述的氮化物半导体结构，其中，该应力控制层的该p型掺质为镁，该n型掺质为硅。
4.如权利要求1或2所述的氮化物半导体结构，其中，该应力控制层的厚度为2-15nm。
5.如权利要求1或2所述的氮化物半导体结构，其中，该应力控制层的厚度小于多重量子阱结构的阱层的厚度。
6.如权利要求1或2所述的氮化物半导体结构，其中，该阻障层掺杂有浓度为1016-1018cm-3的n型掺质。
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