[发明专利]半导体模块的制造方法及半导体模块

说明书

本发明提供半导体模块的制造方法及半导体模块，能够提高半导体模块的可靠性。在半导体模块(SA)装配的树脂模制工序中，以芯片搭载部(TAB1～4)各自的背面从密封体(MR)的背面(BS6)露出的方式对IGBT芯片(10)、二极管芯片、控制芯片、芯片搭载部(TAB1～4)各自的一部分进行树脂模制。在上述树脂模制之后，在密封体(MR)的背面(BS6)上以覆盖芯片搭载部(TAB1～4)各自的背面(露出部)的方式粘贴绝缘层(70)，然后，在绝缘层(70)上粘贴TIM层(80)。其中，俯视图中TIM层(80)的区域被包含于绝缘层(70)的区域中。

技术领域

本发明涉及例如功率半导体模块(IPM(Intelligent Power Module，智能功率模块)、电子装置等)的制造方法及其结构。

背景技术

在日本特开2012-195492号公报(专利文献1)中记载有关于具有MOSFET(MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)的功率半导体模块及其安装结构的技术。该功率半导体模块为如下结构：具备搭载有功率半导体元件的第一金属板和未搭载功率半导体元件的第二金属基板，并使上述第一金属基板的与功率半导体元件搭载面相反侧的背面露出于树脂封装件外而形成散热面。

在日本特开2005-109100号公报(专利文献2)中记载有具备功率芯片的半导体装置及其制造技术。具体而言，公开了在上述专利文献2所记载的半导体装置的装配中，将安装有金属箔的树脂片配置于树脂密封用模具的内部底面而进行树脂模制的技术。

专利文献1：日本特开2012-195492号公报

专利文献2：日本特开2005-109100号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在功率类的半导体模块中，在搭载半导体芯片的芯片搭载部不从密封体露出的全模制型的结构中，从芯片搭载部向密封体的外部的散热性差。因此，本发明发明人研究了在具备供多个半导体芯片分别搭载的多个芯片搭载部的半导体模块中，使多个芯片搭载部的一部分露出于密封体的外部的结构。

本发明发明人进行了研究而发现，在使多个芯片搭载部的一部分露出于密封体的外部的结构的半导体模块中，当将半导体模块安装于散热板上时，存在多个芯片搭载部的一部分经由散热板而发生短路的可能性，在考虑了半导体模块的可靠性的情况下，存在应当改善的事项。

其他的课题和新的特征将根据本说明书的叙述以及附图而变得明确。

用于解决课题的技术方案

一实施方式的半导体模块的制造方法，将第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一芯片搭载部的一部分、第二芯片搭载部的一部分以上述第一芯片搭载部的第二面和上述第二芯片搭载部的第二面分别从密封体的第二面露出的方式密封。在上述密封后，在上述密封体的上述第二面上以覆盖上述第一芯片搭载部的上述第二面和上述第二芯片搭载部的上述第二面的方式粘贴绝缘层，之后，在上述绝缘层上粘贴传热材料层。其中，在俯视图中上述传热材料层的区域被包含于上述绝缘层的区域内。

此外，一实施方式的另一半导体模块的制造方法中，将第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一芯片搭载部的一部分、第二芯片搭载部的一部分以上述第一芯片搭载部的第二面和上述第二芯片搭载部的第二面分别从密封体的第二面露出的方式密封。在上述密封后，以绝缘层和传热材料层接合所形成的片结构体的上述绝缘层在上述密封体的上述第二面上覆盖上述第一芯片搭载部的上述第二面和上述第二芯片搭载部的上述第二面的方式粘贴上述片结构体。其中，在俯视图中上述片结构体中的上述传热材料层的区域被包含于上述绝缘层的区域中。