[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201810165539.0 | 申请日: | 2018-02-28 |
公开(公告)号: | CN109755205B | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | 仓谷英敏;服部聪;田靡京 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 房永峰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
半导体装置包括:半导体芯片、有第1部分及与半导体芯片电连接的第2部分的第1导电构件、有第3部分的第2导电构件、设于第1部分与第3部分之间的导电性的第1连接构件及有设于第1部分、第3部分及第1连接构件的周围的第1部分区域的树脂部。从第2部分向第1部分的方向沿与从半导体芯片向第2部分的方向即第1方向交叉的第2方向。第1部分有与第1连接构件对置并包括凹部及凸部的第1面。凹部有第1底部、第1距离及第2距离的至少任一个。第1底部的至少一部分相对第1方向垂直。凹部与第2部分之间的距离即第1距离比凸部与第2部分之间的距离长。凹部与第3部分之间的沿着第1方向的距离即第2距离在从第2部分向第1部分的朝向增大。
关联申请
本申请享受以日本专利申请2017-215465号(申请日:2017年11月8日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部的内容。
技术领域
本发明的实施方式一般涉及半导体装置。
背景技术
具有用树脂密封半导体芯片而成的半导体装置。在半导体装置中,希望抑制特性的变动。
发明内容
实施方式提供一种能够抑制特性的变动的半导体装置。
实施方式的半导体装置包括半导体芯片、第1导电构件、第2导电构件、第1连接构件以及树脂部。上述第1导电构件包括第1部分以及第2部分。上述第2部分与上述半导体芯片电连接。从上述半导体芯片朝向上述第2部分的方向沿着第1方向。从上述第2部分朝向上述第1部分的方向沿着与上述第1方向交叉的第2方向。上述第2导电构件包括第3部分。上述第1连接构件设置于上述第1部分与上述第3部分之间,为导电性。上述树脂部包括设置于上述第1部分、上述第3部分以及上述第1连接构件的周围的第1部分区域。上述第1部分具有与上述第1连接构件对置的第1面。上述第1面包括凹部以及凸部。上述凹部具有第1底部、第1距离以及第2距离的至少任一个。上述第1底部的至少一部分相对上述第1方向垂直。上述第1距离是上述凹部与上述第2部分之间的距离,上述第1距离比上述凸部与上述第2部分之间的距离长。上述第2距离是上述凹部与上述第3部分之间的沿着上述第1方向的距离,上述第2距离在从上述第2部分向上述第1部分的朝向上增大。
另一实施方式的半导体装置包括半导体芯片、第1导电构件、第2导电构件、第1连接构件以及树脂部。上述第1导电构件包括第1部分以及第2部分。上述第2部分与上述半导体芯片电连接。从上述半导体芯片朝向上述第2部分的方向沿着第1方向。从上述第2部分朝向上述第1部分的方向沿着与上述第1方向交叉的第2方向。上述第2导电构件包括第3部分以及第4构件。上述第1连接构件设置于上述第1部分与上述第3部分之间,为导电性。上述树脂部包括设置于上述第1部分、上述第3部分以及上述第1连接构件的周围的第1部分区域。上述第4部分的至少一部分没有被上述树脂部覆盖。从上述第3部分朝向上述第4部分的方向沿着与上述第1方向交叉的第3方向。上述第3部分具有与上述第1连接构件对置的第2面。上述第2面包括凹部以及凸部。上述凹部具有第2底部、第3距离以及第4距离的至少任一个。上述第2底部的至少一部分相对上述第1方向垂直。上述第3距离是上述凹部与上述第4部分之间的距离,上述第3距离比上述凸部与上述第4部分之间的距离长。上述第4距离是上述凹部与上述第1部分之间的沿着上述第1方向的距离,上述第4距离在从上述第4部分向上述第3部分的朝向上增大。
附图说明
图1(a)~图1(c)是例示第1实施方式涉及的半导体装置的示意图。
图2是例示第1实施方式涉及的半导体装置的示意图。
图3是例示与半导体装置有关的实验结果的曲线图。
图4(a)以及图4(b)是例示半导体装置的截面显微镜照片图像。
图5是例示第1实施方式涉及的半导体装置的示意的剖视图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社,未经株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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