[发明专利]半导体装置以及控制系统

说明书

实施方式的半导体装置具备第1半导体层、第1开关元件、第2开关元件以及导电体。上述导电体的至少一部分设置在上述第1半导体层上。上述导电体在第1方向上位于上述第1开关元件以及上述第2开关元件之间。

关联申请的交叉引用

本申请基于日本专利申请2017－179414号(申请日：2017年9月19日)主张优先权。本申请通过参照该基底申请而包含基底申请的全部内容。

技术领域

实施方式一般涉及半导体装置以及控制系统。

背景技术

半导体装置中，作为将电流路径的方向进行切换的元件，有MOSFET(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)。将这样的MOSFET通过使电极共用而在芯片上集成多个，并组装到保护电路等电路内。如果将多个MOSFET集成化，则可能会导致芯片内的电流路径变长、电阻值变高。

发明内容

实施方式提供一种电气特性提高的半导体装置以及控制系统。

实施方式的半导体装置具备第1半导体层、第1开关元件、第2开关元件和导电体。所述第1半导体层的导电型为第1导电型。所述第1开关元件具有设置在所述第1半导体层上且分别具有第1控制电极的多个第1元件部、以及设置在所述多个第1元件部上的第1电极。所述第2开关元件具有设置在所述第1半导体层上且分别具有第2控制电极的多个第2元件部、以及设置在所述多个第2元件部上的第2电极。所述第2开关元件与所述第1开关元件在第1方向上排列配置。所述导电体的至少一部分设置在所述第1半导体层上。所述导电体在所述第1方向上位于所述第1开关元件以及所述第2开关元件之间。

附图说明

图1是表示实施方式的半导体装置的俯视图。

图2是表示实施方式的半导体装置的剖视图。

图3是表示实施方式的半导体装置的连接方式的电路图。

图4是表示实施方式的半导体装置的电流路径的剖视图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的各实施方式进行说明。

另外，附图是示意性的或者是概念性的，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等并不一定与现实的结构相同。此外，即使在表示相同部分的情况下，根据附图也有将相互的尺寸或比率不同地表示的情况。

另外，在本申请说明书和各图中，对于与已出现的图中说明过的要素相同的要素赋予相同的标号，并适当省略详细的说明。

(本实施方式)

图1是表示本实施方式的半导体装置的俯视图。

图2是图1的A1－A2线的剖视图。

另外，本说明书中，采用XYZ正交坐标系。将从漏极电极80朝向半导体层10的方向设为Z方向，将相对于Z方向垂直且相互正交的2个方向设为X方向及Y方向。

如图1及图2所示，在半导体装置1设有开关元件1A以及开关元件1B。开关元件1A以及开关元件1B例如是MOSFET。开关元件1A以及开关元件1B以在X方向上相邻的方式配置。例如，开关元件1A以及开关元件1B集成在一个芯片上。

在图1所示的例中，半导体装置1由两个开关元件1A、1B构成，但也可以由三个以上的开关元件构成。例如，在开关元件1A以及开关元件1B内设有相同的要素。

以下，对开关元件1A、1B内的要素进行说明。