[发明专利]半导体模块有效
申请号: | 201810126719.8 | 申请日: | 2018-02-08 |
公开(公告)号: | CN108417567B | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 木村晃也;井口知洋;佐佐木阳光 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/48 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘英华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 模块 | ||
提供生产率高并且可靠性高的半导体模块。实施方式的半导体模块具备第1基板、第1电路部件、第1连接构件及第1线材。上述第1基板具有绝缘性。上述第1电路部件具有第1导电层、第1开关元件及第1二极管。上述第1连接构件设置在上述第1开关元件的第1电极及上述第1二极管的第4电极上,具有导电性。上述第1线材将上述第1导电层及上述第1连接构件连接。
技术领域
本发明的实施方式涉及半导体模块。
背景技术
如各种用途的变换器装置那样的半导体模块,小型化正在进展,期望提高装置内的布局的自由度。并且,在这样的半导体模块中,要求较高的生产率,并且要求更高的可靠性。
发明内容
本发明的实施方式,提供生产率高并且可靠性高的半导体模块。
根据本发明的实施方式,提供具备第1基板、第1电路部件、第1连接构件及第1线材的半导体模块。上述第1基板具有绝缘性。上述第1电路部件具有第1导电层、第1开关元件及第1二极管。上述第1导电层设置在上述第1基板上。上述第1开关元件设置在上述第1导电层上,具有第1元件部、设置在上述第1元件部的上表面的第1电极、及设置在上述第1元件部的下表面的第2电极及第3电极。上述第1二极管设置在上述第1导电层上,在与上述第1基板的上表面平行的第1方向上与上述第1开关元件分离,具有第2元件部、设置在上述第2元件部的上表面的第4电极及设置在上述第2元件部的下表面的第5电极。上述第1连接构件设置在上述第1电极及上述第4电极上,具有导电性。上述第1线材将上述第1导电层及上述第1连接构件连接。
附图说明
图1是表示第1实施方式的半导体模块的俯视图。
图2是表示第1实施方式的半导体模块的侧视图。
图3是表示第1实施方式的半导体模块的一部分的俯视图。
图4A及图4B是图3的A1-A2线及B1-B2线的剖视图。
图5A及图5B是图4A的一部分的放大图。
图6A及图6B是图4B的一部分的放大图。
图7是图3的一部分的放大剖视图。
图8是表示第1实施方式的半导体模块的制造方法的流程图。
图9是表示第2实施方式的半导体模块的一部分的俯视图。
图10A及图10B是表示第3实施方式的半导体模块的一部分的剖视图。
图11是表示第4实施方式的半导体模块的俯视图。
图12是表示第5实施方式的半导体模块的俯视图。
符号说明
1、100、200、300、400…半导体模块;10…散热板;15…基板;15a、19s1、20s1、50c1、t1、t2…上表面;19、19A1、19A2、19B1、19B2、19C1、19C2…开关元件;19ce、19ce1、19ce2、20ke、20ke1、20ke2…上表面电极;19e1、20e1、19e2、20e2…元件部;19ge、19ge1、19ge2…控制电极;19me、19me1、19me2、20ae、20ae1、20ae2…下表面电极;19s2、20s2、50b1…下表面;20、20A1、20A2、20B1、20B2、20C1、20C2…二极管;25、25a1、25a2、25b1、25b2、25c1、25c2…安装部件;25A~25E…安装基板;30a~30j、30a1~30i1…线材;38…正极端子;39…负极端子;40…输出端子;50、50a1、50a2…连接构件;60…壳体;60a…底面;60b…侧壁;60c1~60c4…支承部;70、70a~70f…焊料层;71…保护层;P、P1~P6、Pr1~Pr3…电路图案;R1、R2…区域;W1、W2、Wa、Wb、We、Wf…厚度。
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