[发明专利]图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括至少两个像素区域；

位于每一像素区域基底内的第一掺杂层，所述第一掺杂层内掺杂有P型离子或者N型离子；

位于每一像素区域基底内的第二掺杂层，所述第二掺杂层覆盖所述第一掺杂层顶部表面，所述第二掺杂层内掺杂有P型离子或者N型离子，所述第二掺杂层的掺杂离子与第一掺杂层的掺杂离子类型不同，且位于不同像素区域的第二掺杂层的厚度不相等，所述第一掺杂层与位于第一掺杂层顶部表面的第二掺杂层构成光电二极管。

2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，不同像素区域的基底顶部表面齐平；所述像素区域基底内具有暴露出所述第二掺杂层顶部的凹槽，且不同像素区域的凹槽深度不相等。

3.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，还包括：填充满所述凹槽的绝缘层，所述绝缘层对单色光的吸收系数小于所述第二掺杂层对所述单色光的吸收系数。

4.如权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，还包括：位于所述绝缘层和所述第二掺杂层之间的界面层，所述界面层覆盖所述第二掺杂层顶部、所述凹槽侧壁以及所述基底顶部；位于所述界面层与所述绝缘层之间的高K介质层，所述高K介质层覆盖所述界面层表面。

5.如权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述绝缘层的材料为氧化硅或氮化硅。

6.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第二掺杂层的材料为硅。

7.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述基底包括绿光像素区域、蓝光像素区域及红光像素区域；位于所述绿光像素区域的所述第二掺杂层厚度大于所述蓝光像素区域的所述第二掺杂层厚度，且位于所述红光像素区域的所述第二掺杂层厚度大于所述绿光像素区域的所述第二掺杂层厚度。

8.如权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，所述凹槽包括位于绿光像素区域的第一凹槽和位于蓝光像素区域的第二凹槽，所述第二凹槽深度大于所述第一凹槽深度。

9.如权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，所述第一凹槽的深度为0.8μm～1.5μm；所述第二凹槽的深度为1μm～2μm。

10.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括至少两个像素区域，每一像素区域基底内均形成有第一掺杂层，所述第一掺杂层内掺杂有P型离子或者N型离子；

在所述第一掺杂层顶部表面形成第二掺杂层，所述第二掺杂层内掺杂有P型离子或者N型离子，所述第二掺杂层的掺杂离子与第一掺杂层的掺杂离子类型不同，且位于不同像素区域的第二掺杂层的厚度不相等，所述第一掺杂层与位于第一掺杂层顶部表面的第二掺杂层构成光电二极管。

11.如权利要求10所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在形成所述第二掺杂层之前，不同像素区域的基底顶部表面齐平；所述像素区域基底内具有暴露出所述第二掺杂层顶部的凹槽，且不同像素区域的凹槽深度不相等。

12.如权利要求10所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，形成所述第二掺杂层的工艺方法包括：对位于所述第一掺杂层顶部的基底进行掺杂处理；

在进行掺杂处理后，去除位于所述第一掺杂层顶部的部分厚度的基底，在所述像素区域基底内形成凹槽，位于所述凹槽与所述第一掺杂层顶部之间的基底作为所述第二掺杂层。

13.如权利要求10所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，形成所述第二掺杂层的工艺方法包括：去除位于所述第一掺杂层顶部的部分厚度的基底，在所述像素区域基底内形成凹槽；对位于所述凹槽与所述第一掺杂层顶部之间的基底进行掺杂处理，形成所述第二掺杂层。