[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有：

半导体元件；

散热器，其搭载了所述半导体元件；

树脂制的壳体，其搭载于所述散热器，收容所述半导体元件；以及

紧固孔，其贯穿所述壳体及所述散热器，

所述壳体在俯视观察时包含所述紧固孔的部分具有板状的面压力缓冲部件，该面压力缓冲部件具有比所述树脂高的刚性。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

至少在所述紧固孔的周围，所述面压力缓冲部件的上表面从所述壳体露出，所述面压力缓冲部件的下表面与所述散热器抵接。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述紧固孔存在多个，

所述面压力缓冲部件呈在俯视观察时包含全部所述多个紧固孔的形状。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

所述面压力缓冲部件具有在所述壳体的外周部延伸的部分和横穿所述壳体内的梁部。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

所述面压力缓冲部件呈在所述壳体的外周部延伸的框状。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

所述面压力缓冲部件具有横穿所述壳体内的梁部。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述紧固孔及所述面压力缓冲部件各自存在多个，

所述多个面压力缓冲部件各自呈在俯视观察时包含至少1个紧固孔的形状。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

所述多个面压力缓冲部件全部呈相同的形状。

9.根据权利要求7或8所述的半导体装置，其中，

所述多个面压力缓冲部件中的至少1个呈沿所述壳体的相邻的2边延伸的L字型。

10.根据权利要求7或8所述的半导体装置，其中，

所述多个面压力缓冲部件中的至少1个呈包含在所述壳体的外周部延伸的部分和横穿所述壳体内的部分的框状。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体装置，其中，

所述面压力缓冲部件在除了所述紧固孔的周围以外的部分形成有贯穿孔、凹部及凹坑中的任意者。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的半导体装置，其中，

所述面压力缓冲部件在俯视观察时被所述壳体包含在内。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体装置，其中，

就所述面压力缓冲部件而言，所述紧固孔的周围的部分比其它部分形成得厚。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，

所述面压力缓冲部件在所述紧固孔的周围的部分的侧面形成有凹凸。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的半导体装置，其中，

所述面压力缓冲部件嵌入成型于所述壳体。

16.根据权利要求1至14中任一项所述的半导体装置，其中，

所述面压力缓冲部件是使用粘接剂而与所述壳体粘接的。

17.根据权利要求1至16中任一项所述的半导体装置，其中，

所述面压力缓冲部件具有比所述树脂高的导热率。

18.根据权利要求1至16中任一项所述的半导体装置，其中，

所述面压力缓冲部件的材料是Fe。