[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201780003238.1 | 申请日: | 2017-09-05 |
公开(公告)号: | CN109757119B | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 神山悦宏 | 申请(专利权)人: | 新电元工业株式会社 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L21/60;H01L25/07;H01L25/18 |
代理公司: | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人: | 郁旦蓉 |
地址: | 日本国东京都千*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
本发明的半导体装置,包括:封装部;第一电子元件,配置在封装部内,并且其上端面配置有第一电极;第一引线端子,其一端的上端面在封装部内载置有第一电子元件,其另一端从沿封装部的长度方向的一端侧露出;第二引线端子,其一端在封装部内与第一引线端子的一端靠近配置,其另一端从沿封装部的长度方向的另一端侧露出;第一连接件,配置在封装部内,其一端与第一电子元件的第一电极电气连接,其另一端与第二引线端子的一端电气连接;以及导电性接合材料,将第一连接件的另一端与第二引线端子的一端之间接合并且具有导电性。
技术领域
本发明涉及半导体装置。
背景技术
以往,作为电子模块等半导体装置中的一种,将从直流电源输入的直流电力转换为交流电力后进行输出的逆变器(Inverter)装置已被普遍认知。
逆变器装置例如是将直流电压转换为三相交流电压,并被用于三相电机的驱动。
例如,在以往的半导体装置中,是将高端(High-side)与低端(Low-side)的电子元件(MOSFET)的电极与引线端子(引线框(Leadframe))通过连接件焊锡接合的(例如,参照特开2011-49244)。
在该以往的半导体装置中,通过将连接件的前端嵌入形成于引线端子前端表面的凹陷部中,从而将引线端子与连接件进行相对定位。
然而,一旦当连接件被施加了水平方向的力,该引线端子的凹陷部就无法保持与该连接件的嵌合状态,从而导致产生错位。
一旦该连接件在连接上发生接触不良的状况,就会降低该电子元件的控制性从而导致半导体装置的可靠性降低。
另外,为了提升半导体装置的可靠性,有必要将引线端子进行适宜地封装。
本发明鉴于上述课题,目的是提供一种半导体装置,其能够使连接件再规定的位置上与引线端子相连接,并且能够在抑制接触不良的同时,将引线端子在封装时适宜地进行模塑固定(Mold lock),从而提升可靠性。
发明内容
本发明的一种形态涉及的半导体装置,其特征在于,包括:
封装部;
第一电子元件,配置在所述封装部内,并且其上端面配置有第一电极;
第一引线端子,其一端的上端面在所述封装部内载置有所述第一电子元件,其另一端从沿所述封装部的长度方向的一端侧露出;
第二引线端子,其一端在所述封装部内与所述第一引线端子的一端靠近配置,其另一端从沿所述封装部的所述长度方向的另一端侧露出;
第一连接件,配置在所述封装部内,其一端与所述第一电子元件的所述第一电极电气连接,其另一端与所述第二引线端子的所述一端电气连接;以及
导电性接合材料,将所述第一连接件的所述另一端与所述第二引线端子的所述一端之间接合并且具有导电性,
其中,在所述第二引线端子的所述一端的上端面上配置有:在将所述第一连接件的所述另一端与所述第二引线端子的所述一端之间接合时用于封堵溶融后的所述导电性接合材料的,并且从所述第二引线端子的所述一端的所述上端面突出的壁部。
在所述半导体装置中,所述壁部与所述第一连接件的所述另一端相接触。
在所述半导体装置中,所述第一电子元件的所述第一电极为所述第一电子元件的控制电极。
在所述半导体装置中,所述导电性接合材料被形成为在进行所述接合时通过表面张力与所述壁部接触。
在所述半导体装置中,所述第二引线端子的所述一端的上端面上的所述壁部的高度比所述第二引线端子的所述一端的上端面上的所述导电性接合材料的高度更高。
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