[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

半导体装置的制造方法，包含：半导体晶片准备工序，准备在玻璃覆盖膜形成面上形成有台面沟槽的半导体晶片；以及玻璃覆盖膜形成工序，在使无铅玻璃微粒子悬浮于溶媒的悬浮液中，将第一电极板与第二电极板以在所述悬浮液中浸渍后的状态对向设置，同时，在所述第一电极板与所述第二电极板之间将所述半导体晶片以所述玻璃覆盖膜形成面朝向所述第一电极板一侧的状态，通过电泳沉积法在所述玻璃覆盖膜形成面上形成玻璃覆盖膜。

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法。

背景技术

以往，众所周知有一种包含在半导体晶片(Wafer)的表面形成玻璃覆盖膜的玻璃覆盖膜形成工序的半导体装置的制造方法(例如，特开昭63-22457号公报、特开昭60-94729号公报、特开昭57-143832号公报)。

在该半导体装置的制造方法中，是通过电泳沉积法(EPD：ElectrophoreticDeposition)，使不含铅的无铅玻璃微粒子在半导体晶片的台面(mesa)沟槽中沉积，然后，对在该沟槽中沉积的无铅玻璃微粒子进行烧制后，使其玻璃化，从而来形成半导体装置的钝化(passivation)膜。

在上述以往的半导体装置的制造方法中，在依靠电泳沉积法的玻璃覆盖膜形成工序中，使用的是将无铅玻璃微粒子悬浮于溶媒的悬浮液。而且，添加于该悬浮液中的电解质溶液的特性并不一定是固定的。

由于该电解质溶液特性的偏差，导致通过电泳沉积法使不含铅的无铅玻璃微粒子相对于半导体晶片的台面沟槽的附着性不稳定，从而无法将沉积于台面沟槽中的无铅玻璃微粒子沉积物的厚度高精度地控制在规定的厚度上(无铅玻璃微粒子沉积物在厚度达到规定的厚度前不附着)。

并且，例如由于该无铅玻璃微粒子沉积物的厚度的偏差，会导致对该沉积物进行烧制后玻璃化的钝化膜的膜厚也会偏差，因此就会导致从半导体晶片上切割分离后的半导体装置的钝化膜的绝缘性(反向特性)产生偏差从而降低该半导体装置的可靠性。

如上述般，在以往的半导体装置的制造方法中依靠电泳沉积法的玻璃覆盖膜形成工序中，由于添加于悬浮液中的电解质溶液特性的偏差，导致通过电泳沉积法使不含铅的无铅玻璃微粒子相对于半导体晶片的台面沟槽的附着性不稳定，从而无法将沉积于台面沟槽中的无铅玻璃微粒子沉积物的厚度高精度地控制在规定的厚度上。

因此，本发明的目的是：提供一种能够将沉积于台面沟槽中的无铅玻璃微粒子沉积物的厚度高精度地控制在规定的厚度上的半导体装置的制造方法。

发明内容

本发明的一种形态所涉及的半导体装置的制造方法，包含：

半导体晶片准备工序，准备在玻璃覆盖膜形成面上形成有台面沟槽的半导体晶片；以及玻璃覆盖膜形成工序，在使无铅玻璃微粒子悬浮于溶媒的悬浮液中，将第一电极板与第二电极板以在所述悬浮液中浸渍后的状态对向设置，同时，在所述第一电极板与所述第二电极板之间将所述半导体晶片以所述玻璃覆盖膜形成面朝向所述第一电极板一侧的状态，通过电泳沉积法在所述玻璃覆盖膜形成面上形成玻璃覆盖膜，

其特征在于：

其中，在所述玻璃覆盖膜形成工序中使用的所述悬浮液为：在将含有所述无铅玻璃微粒子的所述溶媒的介电常数控制在第一范围内后，在该溶媒中，加入表面活性剂、水、以及作为含有有机溶剂与硝酸的混合液的电解质溶液，从而将其导电系数控制在第二范围内，

所述溶媒的介电常数的所述第一范围为7～11，

所述悬浮液的导电系数的所述第二范围为100nS/cm～400nS/cm，

所述电解质溶液的导电系数的所述第三范围为90μs/cm～130μs/cm。

在所述半导体装置的制造方法中，其特征在于：