[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

半导体晶片准备工序，准备在玻璃覆盖膜形成面上形成有台面沟槽的半导体晶片；以及玻璃覆盖膜形成工序，在使无铅玻璃微粒子悬浮于溶媒的悬浮液中，将第一电极板与第二电极板以在所述悬浮液中浸渍后的状态对向设置，同时，在所述第一电极板与所述第二电极板之间将所述半导体晶片以所述玻璃覆盖膜形成面朝向所述第一电极板一侧的状态，通过电泳沉积法在所述玻璃覆盖膜形成面上形成玻璃覆盖膜，

其特征在于：

其中，在所述玻璃覆盖膜形成工序中使用的所述悬浮液为：在将含有所述无铅玻璃微粒子的所述溶媒的介电常数控制在第一范围内后，在该溶媒中，加入表面活性剂、水、以及作为含有有机溶剂与硝酸的混合液的电解质溶液，从而将其导电系数控制在第二范围内，

所述溶媒的介电常数的所述第一范围为7～11，

所述悬浮液的导电系数的所述第二范围为100nS/cm～400nS/cm，

在被添加至所述溶媒中以前，所述电解质溶液的导电系数被控制在第三范围中，

所述电解质溶液的导电系数的所述第三范围为90μs/cm～130μs/cm。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，通过对所述表面活性剂、所述水、以及所述电解质溶液中的至少任意一个进行调整，从而将所述悬浮液的所述导电系数控制在所述第二范围内。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述有机溶剂为异丙醇或醋酸乙酯。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，通过对所述混合液中所述硝酸的配比进行调整，从而将所述电解质溶液的所述导电系数控制在所述第三范围内。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述溶媒为含有异丙醇与醋酸乙酯的混合溶媒。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，通过对所述溶媒中所述醋酸乙酯的配比进行调整，从而将所述溶媒的介电常数控制在所述第一范围内。

7.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述无铅玻璃微粒子中含有SiO₂、Al₂O₃、CaO、MgO、ZnO、B₂O₃、以及BaO中的至少任意一种成分。

8.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述表面活性剂为非离子表面活性剂。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述表面活性剂为聚乙二醇。

10.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述半导体晶片准备工序包含：

准备在主面上具备平行pn结的半导体晶片的工序；

通过从所述半导体晶片的一方的表面形成深度超过所述pn结的沟槽，从而在所述沟槽的内面形成所述pn结露出部的工序；以及

在所述沟槽的内面形成基底绝缘膜并使其覆盖所述pn结露出部的工序。

11.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述半导体晶片准备工序包含：

在所述半导体晶片的表面形成pn结露出部的工序；以及

所述半导体晶片的表面形成基底绝缘膜并使其覆盖所述pn结露出部的工序。