[实用新型]半导体晶粒载具及其夹环有效
| 申请号： | 201721294027.1 | 申请日： | 2017-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN207265031U | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 廖鴻有;李維堂;鍾佳閔 | 申请（专利权）人： | 世锜科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 广东世纪专利事务所44216 | 代理人： | 刘润愚 |
| 地址： | 中国台湾桃园市中*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 晶粒 及其 | ||
1.一种夹环，应用于一半导体晶粒载具，其特征在于该夹环包含：相互套接的一第一环体以及一第二环体，该第一环体的其中一边缘形成有一第一对接曲面，该第二环体的其中一边缘形成与该第一对接曲面相对配置的一第二对接曲面，该第一对接曲面上开设有一环槽，该第二对接曲面上凸设有嵌固于该环槽的一环肋，且该环槽的开口二侧之间沿该环槽的深度方向形成一段差，该环槽的开口距该环槽底部的高度较低的一侧为一进入侧，且该环肋通过该进入侧而卡入该环槽。
2.如权利要求1所述之夹环，其特征在于上述第二环体圈绕上述第一环体，上述第一对接曲面形成在该第一环体的外侧边缘，上述第二对接曲面形成在上述第二环体的内侧边缘。
3.如权利要求1所述之夹环，其特征在于上述第一环体圈绕上述第二环体，上述第一对接曲面形成在上述第一环体的内侧边缘，上述第二对接曲面形成在该第二环体的外侧边缘。
4.如权利要求1所述之夹环，其特征在于上述第一对接曲面之一侧边形成有一第一导引圆角，且该第一导引圆角对应上述环槽的进入侧延伸配置。
5.如权利要求1所述之夹环，其特征在于上述第二对接曲面之一侧边形成有一第二导引圆角，且该第二导引圆角对应上述环肋的其中一侧延伸配置。
6.一种半导体晶粒载具，其特征在于包含如权利要求1所述的夹环以及一承载膜，该承载膜的边缘被夹持固定在上述第一对接曲面以及上述第二对接曲面之间而且被拉伸扩张设置在该夹环上。
7.如权利要求6所述之半导体晶粒载具，其特征在于上述第二环体圈绕上述第一环体，上述第一对接曲面形成在该第一环体的外侧边缘，上述第二对接曲面形成在上述第二环体的内侧边缘，上述承载膜包覆该第一环体的其中一面。
8.如权利要求7所述之半导体晶粒载具，其特征在于上述承载膜的边缘延伸包覆上述第二环体的外侧边缘。
9.如权利要求6所述之半导体晶粒载具，其特征在于上述第一环体圈绕上述第二环体，上述第一对接曲面形成在上述第一环体的内侧边缘，上述第二对接曲面形成在该第二环体的外侧边缘，上述承载膜包覆该第二环体的其中一面。
10.如权利要求9所述之半导体晶粒载具，其特征在于上述承载膜的边缘延伸包覆上述第一环体的外侧边缘。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于世锜科技有限公司，未经世锜科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721294027.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
