[实用新型]集成电路器件

权利要求书

1.一种集成电路器件，其特征在于，包括：

第一半导体衬底层；

第一晶体管，所述第一晶体管形成于所述第一半导体衬底层之中及之上，所述第一晶体管包括由所述第一半导体衬底层中的掺杂区域形成的第一源漏；

第二半导体衬底层；

第二晶体管，所述第二晶体管形成在所述第二半导体衬底层之中及之上，所述第二晶体管包括由所述第二半导体衬底层中的掺杂区域形成的第二源漏；

其中，所述第二半导体衬底层置于所述第一半导体衬底层之上并且通过中间绝缘层与所述第一半导体衬底层分隔开；以及

第一金属布线，所述第一金属布线从与用于所述第一源漏的所述掺杂区域的电接触延伸，通过所述中间绝缘层，并且穿过用于所述第二源漏的所述掺杂区域并与之电接触。

2.如权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述第二半导体衬底层中的所述掺杂区域的厚度等于所述第二半导体衬底层的厚度。

3.如权利要求2所述的集成电路器件，其特征在于，所述第二半导体衬底层掺杂有p型掺杂剂，并且所述第二半导体衬底层中的所述掺杂区域掺杂有n型掺杂剂。

4.如权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，进一步包括：

第一衬底触点，所述第一衬底触点由所述第一半导体衬底层中另外的掺杂区域形成；

第二衬底触点，所述第二衬底触点由所述第二半导体衬底层中另外的掺杂区域形成；以及

第二金属布线，所述第二金属布线从与用于所述第一源漏的所述另外的掺杂区域的电接触延伸，通过所述中间绝缘层，并且穿过用于所述第二衬底触点的所述另外的掺杂区域并与之电接触。

5.如权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，进一步包括：

第三晶体管，所述第三晶体管形成于所述第二半导体衬底层之中及之上，所述第三晶体管包括栅极电极；并且

其中，所述第一金属布线进一步延伸以与所述第三晶体管的所述栅极电极进行电接触。

6.如权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述第一金属布线所穿过的所述第二半导体衬底层中的所述掺杂区域用于通过与所述第二半导体衬底层形成横向反向偏置p-n结而将所述第一金属布线与所述第二半导体衬底层电隔离。

7.如权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，进一步包括在所述第二半导体衬底层之上的绝缘层，其中，所述第一金属布线完全穿过用于所述第二源漏的所述掺杂区域并且穿进所述第二半导体衬底层之上的所述绝缘层。

8.一种集成电路器件，其特征在于，包括：

第一半导体衬底层；

第一晶体管，所述第一晶体管形成于所述第一半导体衬底层之中及之上，所述第一晶体管包括由所述第一半导体衬底层中的掺杂区域形成的第一源漏；

第二半导体衬底层；

第二晶体管，所述第二晶体管形成在所述第二半导体衬底层之中及之上，所述第二晶体管包括由所述第二半导体衬底层中的掺杂区域形成的第二源漏；

其中，所述第二半导体衬底层置于所述第一半导体衬底层之上并且通过中间绝缘层与所述第一半导体衬底层分隔开；

沟槽隔离，所述沟槽隔离形成在第二半导体衬底层中，并且所述沟槽隔离的厚度等于所述第二半导体衬底层的厚度；以及

第一金属布线，所述第一金属布线从与用于所述第一源漏的所述掺杂区域的电接触延伸，通过所述中间绝缘层，并且穿过所述沟槽隔离以与用于所述第二源漏的所述掺杂区域进行电接触。

9.如权利要求8所述的集成电路器件，其特征在于，进一步包括：

第一衬底触点，所述第一衬底触点由所述第一半导体衬底层中另外的掺杂区域形成；

第二衬底触点，所述第二衬底触点由所述第二半导体衬底层中另外的掺杂区域形成；以及

第二金属布线，所述第二金属布线从与用于所述第一源漏的所述另外的掺杂区域的电接触延伸，通过所述中间绝缘层，并且穿过用于所述第二衬底触点的所述另外的掺杂区域并与之电接触。