[发明专利]单面去除硅片掺杂层的方法

权利要求书

1.一种单面去除硅片掺杂层的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

(1)将硅片的待刻蚀面向上放置；

(2)将硅片水平自旋，同时滴加刻蚀液，刻蚀除去掺杂层；

(3)刻蚀完毕，保持硅片水平自旋，滴加清洗液，清洗残留刻蚀液；

可选地，(4)停止滴加液体，去除残留液体。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述水平自旋的速度为5～100000转/分钟，优选地10～10000转/分钟；

优选地，所述刻蚀液的滴加位置至少包括自旋中心位置；

优选地，所述刻蚀液的滴加位置包括自旋中心位置和沿任一直径均匀分布于自旋中心两侧的至少2个位置；

优选地，所述沿任一直径均匀分布于自旋中心两侧的滴加位置为2个以上的偶数个，优选2个、4个、6个、8个、10个。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述硅片包括单晶硅片或多晶硅片；

优选地，所述硅片具有双面绒面结构，优选具有金字塔绒面结构或虫洞式绒面结构。

4.如权利要求1～3之一所述的方法，其特征在于，所述刻蚀液包括酸性刻蚀液或碱性刻蚀液；

优选地，所述酸性刻蚀液包括氢氟酸和硝酸的混酸溶液；

优选地，所述酸性刻蚀液中，氢氟酸和硝酸的浓度之和为0.1～50wt％，优选1～30wt％；

优选地，所述碱性刻蚀液包括氢氧化钾、氢氧化钠、四甲基氢氧化铵中的任意1种或至少2种的组合；

优选地，所述碱性刻蚀液中，碱性物质的浓度之和为0.1～50wt％，优选1～30wt％。

5.如权利要求1～3之一所述的方法，其特征在于，所述刻蚀液的滴落速度为0.01～100滴/秒·cm²，优选1～80滴/秒·cm²；

优选地，所述刻蚀液的滴落时间持续1～1000秒，优选10～300秒；

优选地，所述刻蚀液的滴落过程中，环境温度为0～100℃，优选5～85℃。

6.如权利要求1～5之一所述的方法，其特征在于，所述清洗液包括水、乙醇、丙酮中的任意1种或至少2种的组合，优选去离子水；

优选地，所述清洗液的滴落速度为0.1～100滴/秒·cm²，优选1～80滴/秒·cm²；

优选地，所述清洗液的滴落时间持续1～1000秒，优选10～500秒；

优选地，所述清洗液的滴落过程中，环境温度为0～100℃，优选5～45℃。

7.如权利要求1～6之一所述的方法，其特征在于，所述“去除残留液体”的方法包括风干、烘干、旋干中的任意1种或至少2种的组合；

优选地，所述旋干包括“保持硅片水平旋转，直至液体甩干”。

8.如权利要求1～7之一所述的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

(1)将硅片的待刻蚀面向上放置；

(2)将硅片按照10～10000转/分钟的速度水平自旋，同时按照1～80滴/秒·cm²滴加刻蚀液至自旋中心和沿某一直径均匀与自旋中心两侧的4个位置，持续滴落10～300s，刻蚀除去掺杂层；

(3)刻蚀完毕，按照10～10000转/分钟的速度保持硅片水平旋转，同时按照1～80滴/秒·cm²滴加清洗液至自旋中心和沿某一直径均匀与自旋中心两侧的4个位置，持续滴落10～300s，清洗残留刻蚀液；

(4)停止滴加液体，按照10～10000转/分钟的速度保持硅片水平旋转，直至液体甩干。