[发明专利]一种图像传感器及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体地涉及一种图像传感器及其制备方法。

背景技术

图像传感器是将光学图像信号转换为电信号的半导体器件。在种类繁多的图像传感器中，互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，简称CMOS)图像传感器因其体积小、功耗低、价格低廉的优点而得到广泛应用。

现有的CMOS图像传感器主要包括前照式(Front-side Illumination，简称FSI)CMOS图像传感器和后照式(Back-side Illumination，简称BSI)CMOS图像传感器两种。其中，后照式CMOS图像传感器因其更好的光电转换效果而获得的更广泛的应用，所述后照式CMOS图像传感器也可以称为背照式CMOS图像传感器。

另一方面，随着照相功能在手机等便携式电子产品上的应用普及，前后都配备双置摄像头以成为当今便携式电子产品的一大发展趋势。

但是，现有前后双置摄像头的制造工艺仍存在成本高、多摄像头组装风险高的问题，无法满足市场需求。

发明内容

本发明解决的技术问题是如何降低前后双置摄像头或多摄像头的制造成本。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种图像传感器的制备方法，包括：提供第一半导体基底，所述第一半导体基底的正面形成有感光像素，所述第一半导体基底还形成有逻辑器件；提供第二半导体基底，所述第二半导体基底的正面形成有感光像素；将所述第一半导体基底的背面和第二半导体基底的背面键合。

可选的，所述第一半导体基底包括第一半导体衬底和第二半导体衬底，所述第一半导体基底的形成过程包括：提供第一半导体衬底，所述第一半导体衬底的正面形成有所述逻辑器件；提供第二半导体衬底；将所述第一半导体衬底的正面和第二半导体衬底的背面键合；在所述第一半导体衬底的背面形成所述感光像素；其中，所述第一半导体衬底的背面为所述第一半导体基底的正面，所述第二半导体衬底的正面为所述第一半导体基底的背面。

可选的，所述第二半导体基底形成有存储器件。

可选的，所述第二半导体基底包括第三半导体衬底和第四半导体衬底，所述第二半导体基底的形成过程包括：提供第三半导体衬底，所述第三半导体衬底的正面形成有所述存储器件；提供第四半导体衬底；将所述第三半导体衬底的正面和所述第四半导体衬底的背面键合；在所述第三半导体衬底的背面形成所述感光像素；其中，所述第三半导体衬底的背面为所述第二半导体基底的正面，所述第四半导体衬底的正面为所述第二半导体基底的背面。

可选的，所述第一半导体基底的背面和所述第二半导体基底的背面分别具有通孔，所述通孔分别暴露出形成于所述第一半导体基底和第二半导体基底的金属互联结构的至少一部分，所述将所述第一半导体基底和第二半导体基底的背面键合包括：通过所述通孔将所述第一半导体基底的背面的金属互联结构的至少一部分和所述第二半导体基底的背面的金属互联结构的至少一部分键合。

本发明实施例还提供一种图像传感器，包括：第一半导体基底，所述第一半导体基底的正面形成有感光像素，所述第一半导体基底还形成有逻辑器件；第二半导体基底，所述第二半导体基底的正面形成有感光像素；其中，所述第一半导体基底的背面和第二半导体基底的背面相键合。

可选的，所述第一半导体基底包括：第一半导体衬底，所述第一半导体衬底的正面形成有所述逻辑器件，所述第一半导体衬底的背面形成有所述感光像素；第二半导体衬底；其中，所述第一半导体衬底的正面和第二半导体衬底的背面相键合，所述第一半导体衬底的背面为所述第一半导体基底的正面，所述第二半导体衬底的正面为所述第一半导体基底的背面。

可选的，所述第二半导体基底形成有存储器件。

可选的，所述第二半导体基底包括：第三半导体衬底，所述第三半导体衬底的正面形成有所述存储器件，所述第三半导体衬底的背面形成有所述感光像素；第四半导体衬底；其中，所述第三半导体衬底的正面和第四半导体衬底的背面相键合，所述第三半导体衬底的背面为所述第二半导体基底的正面，所述第四半导体衬底的正面其所述第二半导体基底的背面。

可选的，所述第一半导体基底的背面和所述第二半导体基底的背面分别具有通孔，所述通孔分别暴露出形成于所述第一半导体基底和第二半导体基底的金属互联结构的至少一部分，且所述第一半导体基底的背面的金属互联结构的至少一部分和所述第二半导体基底的背面的金属互联结构的至少一部分通过所述通孔键合。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：