[发明专利]一种图像传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，包括：

提供第一半导体基底，所述第一半导体基底的正面形成有感光像素，所述第一半导体基底还形成有逻辑器件；

提供第二半导体基底，所述第二半导体基底的正面形成有感光像素；

将所述第一半导体基底的背面和第二半导体基底的背面键合。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一半导体基底包括第一半导体衬底和第二半导体衬底，所述第一半导体基底的形成过程包括：

提供第一半导体衬底，所述第一半导体衬底的正面形成有所述逻辑器件；

提供第二半导体衬底；

将所述第一半导体衬底的正面和第二半导体衬底的背面键合；

在所述第一半导体衬底的背面形成所述感光像素；

其中，所述第一半导体衬底的背面为所述第一半导体基底的正面，所述第二半导体衬底的正面为所述第一半导体基底的背面。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二半导体基底形成有存储器件。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第二半导体基底包括第三半导体衬底和第四半导体衬底，所述第二半导体基底的形成过程包括：

提供第三半导体衬底，所述第三半导体衬底的正面形成有所述存储器件；

提供第四半导体衬底；

将所述第三半导体衬底的正面和所述第四半导体衬底的背面键合；

在所述第三半导体衬底的背面形成所述感光像素；

其中，所述第三半导体衬底的背面为所述第二半导体基底的正面，所述第四半导体衬底的正面为所述第二半导体基底的背面。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一半导体基底的背面和所述第二半导体基底的背面分别具有通孔，所述通孔分别暴露出形成于所述第一半导体基底和第二半导体基底的金属互联结构的至少一部分，所述将所述第一半导体基底和第二半导体基底的背面键合包括：

通过所述通孔将所述第一半导体基底的背面的金属互联结构的至少一部分和所述第二半导体基底的背面的金属互联结构的至少一部分键合。

6.一种图像传感器，其特征在于，包括：

第一半导体基底，所述第一半导体基底的正面形成有感光像素，所述第一半导体基底还形成有逻辑器件；

第二半导体基底，所述第二半导体基底的正面形成有感光像素；

其中，所述第一半导体基底的背面和第二半导体基底的背面相键合。

7.根据权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，所述第一半导体基底包括：

第一半导体衬底，所述第一半导体衬底的正面形成有所述逻辑器件，所述第一半导体衬底的背面形成有所述感光像素；

第二半导体衬底；

其中，所述第一半导体衬底的正面和第二半导体衬底的背面相键合，所述第一半导体衬底的背面为所述第一半导体基底的正面，所述第二半导体衬底的正面为所述第一半导体基底的背面。

8.根据权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，所述第二半导体基底形成有存储器件。

9.根据权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，所述第二半导体基底包括：

第三半导体衬底，所述第三半导体衬底的正面形成有所述存储器件，所述第三半导体衬底的背面形成有所述感光像素；

第四半导体衬底；

其中，所述第三半导体衬底的正面和第四半导体衬底的背面相键合，所述第三半导体衬底的背面为所述第二半导体基底的正面，所述第四半导体衬底的正面为所述第二半导体基底的背面。

10.根据权利要求6至9中任一项所述的图像传感器，其特征在于，所述第一半导体基底的背面和所述第二半导体基底的背面分别具有通孔，所述通孔分别暴露出形成于所述第一半导体基底和第二半导体基底的金属互联结构的至少一部分，且所述第一半导体基底的背面的金属互联结构的至少一部分和所述第二半导体基底的背面的金属互联结构的至少一部分通过所述通孔键合。