[发明专利]适合划片且能避免裂痕的半导体晶粒在审
| 申请号： | 201711397508.X | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN109950208A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 成都海存艾匹科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 器件区域 晶粒 基板材料 裂痕 划片 半导体晶粒 热膨胀系数 边界区域 衬底材料 划片道 重合 钝角 内角 失配 横穿 包围 制造 | ||
1.一种适合划片且能避免裂痕的半导体晶粒，其特征在于含有：
一含有一种衬底材料、具有第一多边形形状的衬底，该第一多边形含有一边角以及在该边角处相交的第一边和第二边；
至少一含有一种半导体材料、具有第二多边形形状的基板，该基板形成在该衬底上，该第二多边形的边数超过四条且所有内角均大于90度；
该第二多边形的边数大于该第一多边形的边数，该第二多边形含有一与该第一边平行的第三边和一与该第二边平行的第四边，该第三边和该第四边不相交；
该衬底材料的热膨胀系数与该半导体材料的热膨胀系数不同。
2.根据权利要求1所述的晶粒，其特征还在于：该第一多边形为一平行四边形。
3.根据权利要求1所述的晶粒，其特征还在于：该第一多边形为一方形。
4.根据权利要求1所述的晶粒，其特征还在于：该第二多边形为一六边形。
5.根据权利要求1所述的晶粒，其特征还在于：该第二多边形为一八边形。
6.根据权利要求1所述的晶粒，其特征还在于：该基板形成一器件区域，该器件区域被一边界区域包围。
7.根据权利要求6所述的晶粒，其特征还在于：该器件区域与该边界区域含有不同材料。
8.根据权利要求6所述的晶粒，其特征还在于：该器件区域与该边界区域具有不同结构。
9.根据权利要求6所述的晶粒，其特征还在于：该器件区域的衬底图形与该边界区域的衬底图形不同。
10.一种适合划片且能避免裂痕的半导体晶粒，其特征在于含有：
一含有一种衬底材料的衬底；
至少一含有一种半导体材料、具有一多边形形状的基板，该基板形成在该衬底上，该多边形的边数超过四条且所有内角均大于90度；
该衬底材料的热膨胀系数与该半导体材料的热膨胀系数不同。
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