[发明专利]一种隔离式焊盘以及包括该焊盘的芯片在审

专利信息
申请号: 201711289369.9 申请日: 2017-12-07
公开(公告)号: CN107910309A 公开(公告)日: 2018-04-13
发明(设计)人: 董志伟 申请(专利权)人: 荣湃半导体(上海)有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/485;H01L23/498
代理公司: 北京市中伦律师事务所11410 代理人: 李波
地址: 200120 上海市浦东新区上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 隔离 式焊盘 以及 包括 芯片
【说明书】:

技术领域

发明涉及电子电路领域,更具体地,涉及芯片中的新型焊盘。

背景技术

芯片的封装是用金属线(金线或者铜线)将芯片的pad(焊盘)连接到封装的外接管脚上。通常,芯片的大小约为几平方毫米,只有被封装起来才能连接到电路中。当然,封装还起到对内部线路进行保护的作用。

Pad一般是由芯片中最顶层的金属制成的,芯片中一般会有多个金属层作为导线,每个金属层之间采用通孔(Via)连接。在芯片的最顶层金属上还会有一层绝缘层(材质例如为SiO2或SiN)对芯片起到保护作用。

图1中示出了现有技术中芯片的焊盘的示意图。

如图1所示,在现有技术的焊盘中,技术层之上设置有绝缘材料(材质例如为SiO2或SiN),绝缘材料形成一个开口(一般为正方形或圆形),从而露出金属层的一部分(这里可以称为焊盘)。

焊盘在芯片生产完成时就以形成,然后,芯片被送到封装厂进行封装。在封装的过程中,现在该开口处植入一个金属球(如图1所示),然后用金属线连接该金属球和芯片封装外部的管脚。当所有需要的管脚都被连接上之后,在该封装外部形成塑封包装起来,从而芯片的封装最终完成。

但是,现在技术中的焊盘仅仅起到连接作用,并不能提供更多的信息。并且,现有技术的焊盘还存在着连线消耗量大的缺陷。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中连线成本较高,测试时间较长的缺陷。

根据本发明的第一方面,提供一种隔离式焊盘,包括:第一导电区,第二导电区,绝缘层和绝缘隔离区,其中,所述绝缘层设置在所述第一导电区上并形成开口,使得所述第一导电区的一部分和第二导电区暴露;所述第二导电区与所述第一导电区之间设置有所述绝缘隔离区;当所述开口处被填充导电材料时,所述第一导电区和第二导电区电连接。

根据本发明的一个实施方式,其中,所述第一导电区具有中空的环状结构;所述第二导电区位于中空的所述环状结构内,并且所述第二导电区与所述第一导电区之间设置有所述绝缘隔离区。

根据本发明的一个实施方式,其中,所述导电材料为导电焊料。

根据本发明的一个实施方式,其中,所述第二导电区的横截面为十字形。

根据本发明的一个实施方式,其中,当所述第一导电区和第二导电区电连接时,表示数字信号1或者0;后者当所述第一导电区和第二导电区断开连接时,表示数字信号0或者1。

根据本发明第二方面,提供一种芯片,其具有如上所述的隔离式焊盘。

本发明所提供的技术方案能够降低布线所需的芯片面积,降低测试和启动时间,减少贵重金属,例如金线和铜线的使用,并且能够方便地进行编程,从而较大地降低了芯片的成本。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述,各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的,而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中,用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中:

图1示出了根据本发明第一方面的隔离式焊盘的横截面示意图;

图2示出了十字形状的第二导电区的示意图;

图3示出了根据本发明一个实施方式的隔离式焊盘与外部的连接方式;以及

图4示出了根据本发明一个实施方式的包含本发明的隔离式的芯片示意图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例,然而应当理解,可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反,提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开,并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。

图2示出了根据本发明第一方面的隔离式焊盘的横截面示意图。图3示出了根据本发明第一方面的隔离式焊盘的纵截面示意图。如图2和图3所示,该焊盘包括第一导电区110,第二导电区120,绝缘层10和绝缘隔离区130,其中,所述绝缘层10设置在所述第一导电区110上并形成开口,使得所述第一导电区110的一部分和第二导电区120暴露;所述第二导电区120与所述第一导电区110之间设置有所述绝缘隔离区130;当所述开口处被填充导电材料时,所述第一导电区110和第二导电区120电连接。

如图2和图3所示,与现有技术相比,本发明的焊盘中包括了两个分离的导电区,每个导电区均与芯片内部的电路连接。这两个导电区之间可以通过绝缘物质(例如SiO2)进行隔离。

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