[发明专利]光电子半导体芯片

说明书

提出一种光电子半导体芯片，其中是ALD层的封装层(13)完全地遮盖第一镜层(21)的背离p型传导的区域(3)的侧并且所述封装层局部地与第一镜层(21)直接接触。

技术领域

本发明专利申请是申请日为2014年6月25日、申请号为“201480040795.7”、发明名称为“光电子半导体芯片”的发明专利申请的分案申请

提出一种光电子半导体芯片。

背景技术

文献WO 2012/171817描述了一种光电子半导体芯片。

发明内容

待实现的目的在于：提出一种光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片具有改进的效率以及改进的小电流特性。

根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式，光电子半导体芯片包括半导体本体。半导体本体例如通过III-IV半导体材料、例如通过氮化物-化合物半导体材料形成。半导体本体包括n型传导的区域、p 型传导的区域和位于其间的有源区域，所述有源区域设置用于产生电磁辐射。n型传导的区域和p型传导的区域例如通过相应地掺杂半导体本体的半导体材料产生。

在半导体本体的有源区域中产生的电磁辐射例如是UV辐射、红外辐射和/或可见光。电磁辐射例如通过给有源区域通电产生。电磁辐射至少部分地穿过半导体本体的外面离开半导体本体。

根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式，光电子半导体芯片包括第一镜层，所述第一镜层设置用于反射在有源区域中产生的电磁辐射。第一镜层例如设置在半导体本体的第一主面上。在运行时在有源区域中产生的电磁辐射的大部分随后穿过与第一主面相对置的第二主面离开光电子半导体芯片。在此，在半导体本体的有源区域中产生的电磁辐射部分地射到第一镜层上并且从该镜层处沿着朝向半导体本体的外面的方向、尤其沿着朝向第二主面的方向反射，在该处所述电磁辐射随后部分地射出。

镜层尤其以金属构成。镜层例如包含下述金属中的一种或由其构成：银、铝。这些金属对于可见光具有良好至非常好的反射率，然而具有下述缺点：尤其当存在电磁场时，如在光电子半导体芯片运行时是这种情况，所述金属倾向于扩散或者电子迁移。此外，这些金属尤其会在潮湿的环境中氧化，这随着运行时间增长越来越减小反射率从而越来越减小半导体本体的效率。

根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式，光电子半导体芯片包括至少三个封装层。光电子半导体芯片能够包括第一封装层、第二封装层以及第三封装层。所述至少三个封装层分别电绝缘地构成并且为此通过电绝缘的材料形成。封装层能够分别包括一个或多个层。不同的封装层彼此间的区别在于其不同的制造方法和/或不同的材料组成和/或在光电子半导体芯片中的不同的设置。

封装层尤其设置用于：禁止材料从第一镜层扩散到光电子半导体芯片的其它区域中，和/或阻碍或防止大气气体和/或湿气渗透至第一镜层，和/或使光电子半导体芯片的一些区域与光电子半导体芯片的其它区域电绝缘。

根据光电子半导体芯片的至少一个设施方式，第一镜层设置在p 型传导的区域的下侧上。p型传导的区域的下侧例如是半导体本体的背离n型传导的区域的侧。镜层能够与p型传导的区域直接接触。第一镜层因此尤其也用于将电流在光电子半导体芯片运行时馈入到p 型传导的区域中。

根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式，有源区域设置在p 型传导的区域的背离第一镜层的侧上，并且n型传导的区域设置在有源区域的背离p型传导的区域的侧上。这是指：有源区设置在p型传导的区域和n型传导的区域之间，其中在p型传导的区域的背离n 型传导的区域的下侧上设置第一镜层。

根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式，第一、第二和第三封装层局部地覆盖半导体本体的外面。封装层局部地沿着半导体本体的外面延伸并且封装层中的至少一个能够与半导体本体直接接触。例如，第一封装层与半导体本体局部地直接接触。