[发明专利]光电子半导体芯片

权利要求书

1.一种光电子半导体芯片，具有：

-半导体本体(10)，所述半导体本体包括n型传导的区域(2)、设置用于产生电磁辐射的有源区域(4)和p型传导的区域(3)；

-第一镜层(21)，所述第一镜层设置用于反射电磁辐射；

-第一封装层(11)，所述第一封装层通过电绝缘的材料形成；

-第二封装层(12)，所述第二封装层通过电绝缘的材料形成；和

-第三封装层(13)，所述第三封装层通过电绝缘的材料形成；和

-第五封装层(15)，所述第五封装层是ALD层，意即：原子层沉积层，

其中

-所述第一镜层(21)设置在所述p型传导的区域(3)的下侧上，

-所述有源区域(4)设置在所述p型传导的区域(3)的背离所述第一镜层(21)的侧上，

-所述n型传导的区域(2)设置在所述有源区域(4)的背离所述p型传导的区域(3)的侧上，

-所述第一封装层、第二封装层和第三封装层(11、12、13)局部地覆盖所述半导体本体(10)的外面，

-所述第三封装层(13)完全地遮盖所述第一镜层(21)的背离所述p型传导的区域(3)的侧并且局部地与所述第一镜层(21)直接接触，

-所述第二封装层(12)和所述第三封装层(13)在所述第一镜层(21)的侧向的区域中局部地彼此直接接触，并且

-所述第二封装层(12)和所述第三封装层(13)是ALD层，意即：原子层沉积层，并且

-所述第五封装层(15)至少在所述n型传导的区域(2)上完全地覆盖所述半导体本体(10)的所述外面，并且

-所述第五封装层(15)在所述半导体本体(10)的侧向局部地与所述第二封装层(12)直接接触。

2.根据权利要求1所述的光电子半导体芯片，具有：

第二镜层(22)，所述第二镜层设置在所述第三封装层(13)的背离所述半导体本体(10)的下侧上，其中所述第二镜层(22)沿着横向方向伸出所述半导体本体(10)的所述外面。

3.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，

其中所述第一封装层(11)在所述半导体本体(10)的所述外面上从所述有源区域(4)沿着所述p型传导的区域(3)延伸直至所述第一镜层(21)的侧面，其中所述第一封装层(11)与所述第一镜层(21)直接接触。

4.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，

具有第四封装层(14)，所述第四封装层完全地遮盖所述第三封装层(13)的背离所述半导体本体(10)的侧并且至少局部地与所述第三封装层(13)直接接触。

5.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，

其中所述第二封装层(12)在与所述第五封装层(15)接触的区域中具有刻蚀工艺的痕迹。

6.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，

其中所述第二封装层(12)在与所述第五封装层(15)接触的区域中与在所述第二封装层(12)和所述第五封装层(15)之间不接触的区域中相比是更薄的。

7.根据权利要求1或2所述的光电子半导体芯片，

具有至少一个穿通接触部(40)，所述穿通接触部延伸穿过所述p型传导的区域(3)和所述有源区域(4)直至进入到所述n型传导的区域(2)中，其中

-所述穿通接触部(40)包括n型接触材料(41)，所述n型传导的区域(2)经由所述n型接触材料是能够电接触的，并且

-所述半导体本体(10)除至少一个所述穿通接触部(40)以外完全地由所述第三封装层(13)和所述第五封装层(15)围绕。

8.根据权利要求4所述的光电子半导体芯片，

其中所述光电子半导体芯片具有至少一个穿通接触部(40)，所述穿通接触部(40)包括n型接触材料(41)，和所述第一封装层、第二封装层、第三封装层和第四封装层(11，12，13，14)局部地直接邻接于所述n型接触材料(41)。