[发明专利]STT-MRAM存储器

权利要求书

1.一种STT-MRAM存储器，所述STT-MRAM存储器包括多个存储单元，各所述存储单元包括设置在衬底(1)上的且相互电连接的MTJ位元(19)与开关器，各所述开关器的一个电极互联形成栅极条，其特征在于，所述STT-MRAM存储器还包括：

至少一个并联金属层(9)，各所述并联金属层(9)设置在一个所述栅极条的远离所述衬底(1)的表面上。

2.根据权利要求1所述的STT-MRAM存储器，其特征在于，所述STT-MRAM存储器还包括多个所述并联金属层(9)，并且各所述并联金属层(9)一一对应的设置在所述栅极条的表面上。

3.根据权利要求1所述的STT-MRAM存储器，其特征在于，所述并联金属层(9)的材料选自铜、钨、铝、银、钴与钛中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的STT-MRAM存储器，其特征在于，所述并联金属层(9)的厚度在40～60nm之间。

5.根据权利要求1所述的STT-MRAM存储器，其特征在于，所述开关器为CMOS，且所述CMOS包括栅极，所述栅极包括设置在所述衬底(1)上且沿远离所述衬底(1)的方向依次叠置设置的栅氧层(4)、多晶硅层(5)以及金属硅化物层(6)，其中，各所述栅氧层(4)设置在所述衬底(1)上，且各所述CMOS还包括侧墙(7)，所述侧墙(7)设置在所述栅极的侧壁上。

6.根据权利要求5所述的STT-MRAM存储器，其特征在于，所述STT-MRAM存储器还包括：

第一介电层(10)，设置在所述栅极的远离所述衬底(1)的表面上以及所述栅极两侧的所述衬底(1)上，所述第一介电层(10)中开设有多个第一通孔，各所述第一通孔与各所述金属硅化物层(6)连接，所述并联金属层(9)设置在所述第一通孔中。

7.根据权利要求6所述的STT-MRAM存储器，其特征在于，所述第一介电层(10)中开设有多个第二通孔与多个第三通孔，所述第二通孔一一对应地与所述CMOS的源区(2)连接，所述第三通孔一一对应地与所述CMOS的漏区(3)连接，所述STT-MRAM存储器还包括：

源极层(13)，设置在各所述第二通孔中；以及

漏极层(14)，设置在各所述第三通孔中。

8.根据权利要求6所述的STT-MRAM存储器，其特征在于，所述STT-MRAM存储器还包括：

第一扩散阻挡层(8)，设置在各所述第一通孔的孔壁上，所述并联金属层(9)设置在所述第一扩散阻挡层(8)上。

9.根据权利要求8所述的STT-MRAM存储器，其特征在于，所述STT-MRAM存储器还包括：

第二扩散阻挡层(11)，设置在各所述第一通孔两侧的所述第一介电层(10)的表面上以及所述并联金属层(9)的远离所述衬底(1)的表面上。

10.根据权利要求9所述的STT-MRAM存储器，其特征在于，所述STT-MRAM存储器还包括：

第二介电层(12)，设置在所述第二扩散阻挡层(11)的远离所述栅极的表面上，且所述第一介电层(10)、所述第二扩散阻挡层(11)以及所述第二介电层(12)中开设有多个第二通孔与多个第三通孔，所述第二通孔一一对应地与所述CMOS的源区(2)连接，所述第三通孔一一对应地与所述CMOS的漏区(3)连接，所述STT-MRAM存储器还包括源极层(13)与漏极层(14)，所述源极层(13)设置在所述第二通孔中，所述漏极层(14)设置在所述第三通孔中。

11.根据权利要求10所述的STT-MRAM存储器，其特征在于，所述侧墙(7)还设置在所述第一通孔的部分侧壁上，所述并联金属层(9)的远离所述金属硅化物层(6)的表面与所述侧墙(7)的远离所述衬底(1)的部分表面在同一个平面上，所述第二扩散阻挡层(11)还设置在所述侧墙(7)的远离所述衬底(1)的表面上。