[发明专利]一种半导体器件封装结构及封装方法

说明书

本发明提供了一种半导体器件封装结构及封装方法，其中，该封装结构包括：芯片组；所述芯片组设置于封装层内的，所述芯片组包括在垂直方向上连接的多颗芯片，所述多颗芯片中的每一颗芯片的引线均位于所述芯片组的侧壁上，所述侧壁裸露于所述封装层外。芯片组中的每一颗芯片的引线均从焊盘连接至芯片组的侧壁上，之后从侧壁上将引线进行互连，减小了芯片间线路间距，使得信号传递更加快速，避免了多种TSV双面工艺，这种半导体器件可靠性高，封装尺寸小，整体性能好，且制备过程简单，生产效率高。

技术领域

本发明涉及晶圆封装领域，具体涉及一种半导体器件封装结构及封装方法。

背景技术

目前，重组晶圆方法包括将切割好的半导体芯片放置在被布置在框架(frame)上的开口(opening)内，通过将模塑料(mold compound)填充到开口中来形成重组晶圆，模塑料被形成在芯片周围，在重组晶圆内形成完成的小片(finished die)，将完成的小片与框架分离。

芯片堆叠是把两个或以上的芯片在Z方向上堆叠，芯片之间的互连方式通常为引线键合(Wire Bonding，缩写为WB)、倒装(Flip Chip，缩写为FC)以及硅通孔(ThroughSilicon Via，缩写为TSV)。

相对于单芯片封装后组装堆叠，将多种芯片堆叠后重组晶圆封装，具有流程少，成本低，封装体积小的优点，但由于多芯片之间的互连所需工艺流程较复杂，成本较高，使得多芯片堆叠的重组晶圆封装结构制作工艺复杂、生产成本高。

发明内容

因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中的多芯片堆叠的重组晶圆封装结构制作工艺复杂、生产成本高的缺陷。

为此，本发明提供如下技术方案：

本发明提供了一种半导体器件封装结构，包括：芯片组；所述芯片组设置于封装层内的，所述芯片组包括在垂直方向上连接的多颗芯片，所述多颗芯片中的每一颗芯片的引线均位于所述芯片组的侧壁上，所述侧壁裸露于所述封装层外。

可选地，每个所述芯片组是通过对竖直放置于载片上方的多个芯片组进行切割得到的；其中，所述侧壁与所述载片相连接。

可选地，所述多颗芯片具有引线的侧壁位于同一水平面。

可选地，所述封装层的上表面与所述芯片组的上表面平齐。

可选地，还包括：重布线层，设置于所述侧壁和所述封装层上，与所述侧壁上的引线连接；凸点，设置于所述重布线层上，与所述重布线层连接。

本发明还提供一种半导体器件封装方法，其特征在于，包括如下步骤：在载片上方竖直放置一个或者多个芯片组，所述芯片组包括在垂直方向上连接的多颗芯片，所述多颗芯片中的每一颗芯片的引线均引至所述芯片组的侧壁上，所述侧壁与所述载片相连接；在所述载片上进行封装，形成封装层；去除所述载片。

可选地，所述在载片上方竖直放置一个或者多个芯片组的步骤之前，还包括：将多颗芯片中的每一颗芯片的引线均引至侧壁；将所述多颗芯片进行垂直方向连接，形成芯片组，所述芯片组中的每一颗芯片的引线均位于所述芯片组的侧壁上。

可选地，所述在载片上方竖直放置一个或者多个芯片组的步骤之前，还包括：在所述载片上形成粘合层。

可选地，去除所述载片的步骤之后，还包括：在所述侧壁和所述封装层上制备重布线层及凸点，所述重布线层与所述侧壁上的引线连接，还与所述凸点连接。

可选地，去除所述载片的步骤之后，还包括：将所述封装层进行切割，形成多个独立的半导体器件封装结构。

本发明还提供一种半导体器件封装结构，所述半导体器件封装结构使用上述任一封装方法制备而成。

本发明技术方案，具有如下优点：