[发明专利]半导体装置结构的形成方法

说明书

提供半导体装置结构的形成方法，此方法包含提供半导体结构，半导体结构具有中央部分和围绕中央部分的周边部分。此方法包含在半导体结构的表面上方形成多个第一导电凸块和多个虚设导电凸块，第一导电凸块在中央部分上方并电性连接至半导体结构，虚设导电凸块在周边部分上方并与半导体结构电性绝缘，第一导电凸块的每一个具有第一厚度和第一宽度，虚设导电凸块的每一个具有第二厚度和第二宽度，第二厚度小于第一厚度，且第二宽度大于第一宽度。

技术领域

本公开实施例涉及半导体技术，且特别涉及半导体装置结构的形成方法。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit，IC)工业已经历了快速成长。在集成电路材料和设计上的技术进步产生了数代集成电路，每一代都比前一代具有更小且更复杂的电路。然而，这些进步增加了加工与制造集成电路的复杂性。

在集成电路的发展史中，功能密度(即每一芯片区互连的装置数目)增加，同时几何尺寸(即制造过程中所产生的最小的组件(或线路))缩小。此元件尺寸微缩化的工艺一般来说具有增加生产效率与降低相关费用的益处。

然而，由于部件(feature)尺寸持续缩减，制造工艺持续变的更加难以实施。因此，形成越来越小的尺寸的可靠的半导体装置是个挑战。

发明内容

在一些实施例中，提供一种半导体装置结构的形成方法，此方法包含提供半导体结构，其中半导体结构具有中央部分和围绕中央部分的周边部分；以及在半导体结构的表面上方形成多个第一导电凸块和多个虚设导电凸块，其中第一导电凸块在中央部分上方并电性连接至半导体结构，虚设导电凸块在周边部分上方并与半导体结构电性绝缘，第一导电凸块的每一个具有第一厚度和第一宽度，虚设导电凸块的每一个具有第二厚度和第二宽度，第二厚度小于第一厚度，且第二宽度大于第一宽度。

在一些其他实施例中，提供一种半导体装置结构的形成方法，此方法包含提供半导体结构，其中半导体结构具有中央部分和围绕中央部分的周边部分；以及在半导体结构的表面上形成多个第一导电凸块和多个虚设导电凸块，其中第一导电凸块在中央部分上方并电性连接至半导体结构，虚设导电凸块在周边部分上方并与半导体结构电性绝缘，第一导电凸块的每一个具有第一厚度，虚设导电凸块的每一个具有第二厚度，第二厚度小于第一厚度，且虚设导电凸块与半导体结构之间的接触面积大于第一导电凸块与半导体结构之间的接触面积。

在另外一些实施例中，提供一种半导体装置结构的形成方法，此方法包含提供半导体结构，其中半导体结构具有中央部分和围绕中央部分的周边部分；以及在半导体结构的表面上方形成多个第一导电凸块和多个虚设导电凸块，其中第一导电凸块在中央部分上方并电性连接至半导体结构，虚设导电凸块在周边部分上方并与半导体结构电性绝缘，第一导电凸块的每一个具有第一厚度，虚设导电凸块的每一个具有第二厚度，第二厚度小于第一厚度，且虚设导电凸块的宽度大于第一导电凸块的相邻两者之间的距离。

附图说明

根据以下的详细说明并配合所附附图可以更加理解本公开实施例。应注意的是，根据本产业的标准惯例，图示中的各种部件并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小各种部件的尺寸，以做清楚的说明。

图1A-1I为依据一些实施例的形成半导体装置结构的工艺的各种阶段的剖面示意图。

图1A-1到图1D-1为依据一些实施例的图1A-图1D的半导体装置结构的上视图。

图1A-2为依据一些实施例，沿图1A-1的线II-II’，半导体装置结构的剖面示意图。

图1I-1为依据一些实施例的图1I的半导体装置结构的上视图。

图2为依据一些实施例的半导体装置结构的上视图。

图3为依据一些实施例的半导体装置结构的上视图。

附图标记说明：