[发明专利]半导体装置结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置结构的形成方法，包括:

提供一半导体结构，其中该半导体结构具有一中央部分和围绕该中央部分的一周边部分；以及

在该半导体结构的一表面上方形成多个第一导电凸块和多个虚设导电凸块，

其中所述多个第一导电凸块在该中央部分上方并电性连接至该半导体结构，所述多个虚设导电凸块在该周边部分上方并与该半导体结构电性绝缘，所述多个第一导电凸块的每一个具有一第一厚度和一第一宽度，所述多个虚设导电凸块的每一个具有一第二厚度和一第二宽度，该第二厚度小于该第一厚度，且该第二宽度大于该第一宽度；

其中该半导体结构包括多个芯片区域，多个预定的切割道在所述多个芯片区域之间，所述多个芯片区域包括多个中央芯片区域和多个周边芯片区域，所述多个第一导电凸块在所述多个中央芯片区域中，所述多个虚设导电凸块在所述多个周边芯片区域中，且该方法还包括:

在多个芯片上方形成多个第二导电凸块；

通过所述多个芯片与该半导体结构之间的所述多个第二导电凸块和所述多个第一导电凸块将所述多个芯片接合至该半导体结构；以及

沿所述多个预定的切割道将该半导体结构切割为个别的多个中央芯片和多个周边芯片，以产生多个芯片封装体，所述多个芯片封装体的每一个包括所述多个中央芯片的其中一个、所述多个芯片的其中一个以及在所述多个中央芯片的其中一个与所述多个芯片的其中一个之间的所述多个第二导电凸块和所述多个第一导电凸块。

2.如权利要求1所述的半导体装置结构的形成方法，其中该半导体结构为一晶片。

3.如权利要求1所述的半导体装置结构的形成方法，还包括:

在所述多个芯片接合至该半导体结构之后，在所述多个芯片与该半导体结构上方实施一清洁工艺；以及

在该半导体结构与所述多个芯片的每一个之间的一间隙中形成一底部填充层。

4.如权利要求1所述的半导体装置结构的形成方法，其中该中央芯片的一第一顶表面上方的所述多个第一导电凸块具有一第一总顶表面面积，该中央芯片具有一第一顶表面面积，该周边芯片的一第二顶表面上方的所述多个虚设导电凸块具有一第二总顶表面面积，该周边芯片具有一第二顶表面面积，该第一总顶表面面积与该第一顶表面面积的一第一比率与该第二总顶表面面积与该第二顶表面面积的一第二比率之间的差异在约-0.1至约0.1的范围内。

5.如权利要求1所述的半导体装置结构的形成方法，其中在所述多个周边芯片区域的其中一个中的所述多个虚设导电凸块的数量小于所述多个中央芯片区域的其中一个中的所述多个第一导电凸块的数量。

6.如权利要求1所述的半导体装置结构的形成方法，其中所述多个周边芯片区域的其中一个中的所述多个虚设导电凸块之间的最小距离大于所述多个中央芯片区域的其中一个中的所述多个第一导电凸块之间的最小距离。

7.如权利要求1所述的半导体装置结构的形成方法，其中该第一导电凸块的一第一顶表面相对于该表面具有一第一高度，该虚设导电凸块的一第二顶表面相对于该表面具有一第二高度，且该第二高度小于该第一高度。