[发明专利]一种TFT阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

依次设置在基板上的缓冲层和主动层；

设置在所述主动层上的绝缘层，所述绝缘层的宽度小于所述主动层的宽度，且所述绝缘层对应设置在所述主动层的中间区域；

所述主动层上靠近所述绝缘层的外周区域设有凹槽,所述绝缘层上覆盖有金属层，同时所述金属层填充在所述主动层的凹槽内。

2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述凹槽的一侧开口边缘紧邻所述主动层上与所述绝缘层相对应的区域位置。

3.如权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述凹槽设为两个，该两个凹槽分别设置在所述主动层上靠近所述绝缘层的外周区域的相对两侧。

4.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述凹槽在所述主动层内的深度小于所述主动层的厚度。

5.如权利要求1-4任意一项所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述主动层与所述绝缘层上设有覆盖所述主动层和绝缘层的介电层，所述介电层上设有源漏极金属层。

6.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在基板上依次制作缓冲层和主动层；

在所述主动层上整层沉积绝缘层；

在所述绝缘层上涂布光阻，使用对光阻进行曝光、显影；

进行刻蚀及光阻去除后，在所述主动层上靠近所述绝缘层的外周区域形成凹槽，所述绝缘层的宽度小于所述主动层的宽度，且所述绝缘层对应设置在所述主动层的中间区域,还包括：在所述绝缘层上制作金属层，同时所述金属层填充在所述主动层的凹槽内。

7.如权利要求6所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述凹槽的一侧开口边缘紧邻所述主动层上与所述绝缘层相对应的区域位置；

所述凹槽设为两个，该两个凹槽分别设置在所述主动层上靠近所述绝缘层的外周区域的相对两侧；所述凹槽在所述主动层内的深度小于所述主动层的厚度。

8.如权利要求6或7所述的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括：在所述主动层与所述绝缘层上覆盖所述主动层和绝缘层的介电层、在介电层上制作源漏极金属层的步骤。

9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1-5任一项所述的TFT阵列基板。