[发明专利]一种TFT阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

本发明公开了一种TFT阵列基板，包括：基板；依次设置在基板上的缓冲层和主动层；设置在主动层上的绝缘层，绝缘层的宽度小于主动层的宽度，且绝缘层对应设置在主动层的中间区域，其中：主动层上靠近绝缘层的外周区域凹槽。本发明还公开了一种TFT阵列基板的制作方法及显示装置。实施本发明的TFT阵列基板及其制作方法、显示装置，可阻止等离子处理后的主动层表面的氧空缺扩散到沟道区域，减小导体化主动层中氧空缺扩散对TFT漏电流的影响，提高显示面板的产出良率。

技术领域

本发明涉及显示面板制造领域，尤其涉及一种TFT阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

传统的top gate IGZO TFT基板制作中，在制作完GE金属层电极后，以GE金属层当光罩进行自对准等离子处理后，使与SD contact的IGZO表面区域导体化，可以减小IGZO与SD的接触阻抗，形成类似欧姆接触的效果。

上述制作方法存在的问题是：导体化的IGZO里面氧空缺会增多，在后续处理过程中，氧空缺会沿表面向沟道扩散，使IGZO沟道区域上表面的氧空缺增多，会使TFT关闭状况下的漏电增大，TFT无法有效关闭，从而影响TFT的特性。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种TFT阵列基板及其制作方法、显示装置，可阻止等离子处理后的主动层表面的氧空缺扩散到沟道区域，减小导体化主动层中氧空缺扩散对TFT漏电流的影响，提高显示面板的产出良率。

为了解决上述技术问题，本发明的实施例提供了一种TFT阵列基板，包括：基板；依次设置在基板上的缓冲层和主动层；设置在主动层上的绝缘层，绝缘层的宽度小于主动层的宽度，且绝缘层对应设置在主动层的中间区域，主动层上靠近绝缘层的外周区域设有凹槽,绝缘层上覆盖有金属层，同时金属层填充在主动层的凹槽内。

其中，凹槽的一侧开口边缘紧邻主动层上与绝缘层相对应的区域位置。

其中，凹槽设为两个，该两个凹槽分别设置在主动层上靠近绝缘层的外周区域的相对两侧。

其中，凹槽在主动层内的深度小于主动层的厚度。

其中，主动层与绝缘层上设有覆盖主动层和绝缘层的介电层，介电层上设有源漏极金属层。

为解决上述技术问题，本发明还公开了一种TFT阵列基板的制作方法，包括以下步骤：在基板上依次制作缓冲层和主动层；在主动层上整层沉积绝缘层；在绝缘层上涂布光阻，使用对光阻进行曝光、显影；进行刻蚀及光阻去除后，在主动层上靠近绝缘层的外周区域形成凹槽，绝缘层的宽度小于主动层的宽度，且绝缘层对应设置在主动层的中间区域；还包括：在绝缘层上制作金属层，同时金属层填充在主动层的凹槽内。

其中，凹槽的一侧开口边缘紧邻主动层上与绝缘层相对应的区域位置；凹槽设为两个，该两个凹槽分别设置在所述主动层上靠近所述绝缘层的外周区域的相对两侧；所述凹槽在所述主动层内的深度小于所述主动层的厚度。

其中，还包括：在主动层上的与绝缘层上制作覆盖主动层和绝缘层的介电层、在介电层上制作源漏极金属层的步骤。

本发明还公开了一种具有上述TFT阵列基板的显示装置。

实施本发明所提供的TFT阵列基板及其制作方法、显示装置，具有如下有益效果：

第一、基板上依次设置缓冲层和主动层；主动层上设置绝缘层，绝缘层的宽度小于主动层的宽度，且绝缘层对应设置在主动层的中间区域，主动层上靠近绝缘层的外周区域设有凹槽，凹槽中设有金属层，经处理后的主动层表面的氧空缺由金属层阻隔，使氧空缺无法进入到主动层的凹槽中。

第二，通过减小导体化主动层中氧空缺扩散对TFT漏电流的影响，提高显示装置产出的良率。

附图说明