[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：

第1区域，包含设置在半导体衬底上方且沿着作为所述半导体衬底的面内方向的第1方向延伸的多条第1配线、将相邻的所述第1配线间分离的第1绝缘膜、及以横跨相邻的所述第1配线间的方式设置的第1柱；以及

第2、第3区域，以在所述半导体衬底的面内方向且与所述第1方向不同的第2方向上将所述第1区域夹在中间的方式定位，且包含从所述半导体衬底上设置到所述第1配线的高度的第2绝缘膜；且

所述第1柱包含导电层、栅极绝缘膜及电荷累积层，

设置在所述第1区域内的所述第1配线的条数为奇数条；

所述多条第1配线中位于所述第2方向上的两端的2条第1配线相互电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

位于所述两端的2条第1配线进而与所述奇数条第1配线中的在所述第2方向上位于中央的第1配线相互电连接。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

位于所述两端的2条第1配线进而与在所述第2方向上位于从位于一端的第1配线数起为第2条的第1配线相互电连接。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体存储装置，其特征在于：

在所述第1柱中，在横跨相邻的所述第1配线的区域设置将相邻的所述第1配线用作各自的栅极电极的第1选择晶体管及第2选择晶体管，

在所述第1选择晶体管中所述第1配线与所述电荷累积层对向的面积和所述第2选择晶体管中所述第1配线与所述电荷累积层对向的面积不同。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第1区域还具备：

第2配线，在所述半导体衬底上方且所述第1配线下方，沿着所述第1方向并排地排列着多条；及第1绝缘膜，将相邻的所述第2配线间分离；且

所述第1柱沿着所述第1配线与第2配线的积层方向设置，且以横跨相邻的所述第2配线的方式设置。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于：

在所述第1柱中，在横跨相邻的所述第2配线的区域设置将相邻的所述第2配线用作各自的栅极电极的第1存储单元晶体管及第2存储单元晶体管，

在所述第1存储单元晶体管中所述第2配线与所述电荷累积层对向的面积和所述第2存储单元晶体管中所述第2配线与所述电荷累积层对向的面积不同。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第2区域还具备第2柱，所述第2柱是以横跨相邻的第1配线间的方式设置，

所述半导体存储装置还具备：

第1位线，电连接于所述第1柱；及

第2位线，连接于所述第2柱；且

所述第1柱所横跨的相邻的2条所述第1配线中的一条与所述第2柱所横跨的相邻的2条所述第1配线中的一条为共用的配线，另一条为不同的配线，

读出动作时的所述第1位线及第2位线的预充电电位不同。

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其特征在于：

在所述第2柱中，在横跨相邻的所述第1配线的区域设置将相邻的所述第1配线用作各自的栅极电极的第3选择晶体管及第4选择晶体管，

所述第1选择晶体管与所述第3选择晶体管共用栅极电极，

在所述第1选择晶体管中所述第1配线与所述电荷累积层对向的面积大于所述第2选择晶体管中所述第1配线与所述电荷累积层对向的面积，

所述第1位线的所述预充电电位小于所述第2位线的预充电电位。