[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法包括如下步骤：

1)提供一半导体衬底，所述半导体衬底内形成有沟槽；

2)采用化学气相沉积工艺于所述沟槽内及所述半导体衬底上表面沉积第一层金属层；及，

3)采用物理气相沉积工艺于所述第一层金属层上表面沉积第二层金属层，由所述第二层金属层填满所述沟槽，且所述第二层金属层的材料与所述第一层金属层的材料相同。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，步骤1)与步骤2)之间还包括步骤：将所述半导体衬底进行加热，以去除所述半导体衬底表面水汽。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，步骤1)与步骤2)之间还包括步骤：于所述半导体衬底的上表面、所述沟槽的底部及侧壁形成浸润层，在步骤2)中，所述第一层金属层沉积于所述浸润层的外表面。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述浸润层采用溅射工艺于所述半导体衬底的上表面、所述沟槽的底部及侧壁沉积形成，所述浸润层的材质包括钛或氮化钛，其中，溅射工艺中的温度小于100℃。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，步骤2)及步骤3)中形成的所述第一层金属层及所述第二层金属层的材质均包括铝。

6.根据权利要求1所述半导体结构的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述半导体衬底内所述沟槽的数量为多个，多个所述沟槽于所述半导体衬底内间隔排布。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述沟槽的深宽比大于2。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，步骤2)中，将所述半导体衬底置于真空度大于10^-8Pa的真空反应腔室内，于小于150℃的温度条件下采用化学气相沉积工艺沉积所述第一层金属层于所述沟槽内及所述半导体衬底上表面。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一层金属层的沉积温度介于25℃～150℃。

10.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一层金属层的沉积厚度介于100埃～300埃，沉积时间为2分钟～5分钟。

11.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，步骤3)之后还包括如下步骤：

4)将沉积有所述第一层金属层及所述第二层金属层的所述半导体衬底冷却至室温；及，

5)去除位于所述半导体衬底上表面的所述第一层金属层及所述第二层金属层。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，步骤3)中，将表面形成有所述第一层金属层的所述半导体衬底置于真空度大于10^-8Pa的真空反应腔室内，于小于100℃的温度条件下采用物理气相沉积工艺沉积所述第二层金属层于所述第一层金属层的外表面。

13.根据权利要求12所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二层金属层的沉积厚度介于5700埃～5900埃，沉积时间小于3分钟。

14.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

半导体衬底，所述半导体衬底内形成有沟槽；

第一层金属层，覆盖于所述沟槽的底部及侧壁；及，

第二层金属层，位于所述第一层金属层的外表面，且填满所述沟槽；所述第二层金属层的材料与所述第一层金属层的材料相同。

15.根据权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述沟槽的深宽比大于2。

16.根据权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括浸润层，所述浸润层位于所述沟槽内，以作为所述第一层金属层与所述半导体衬底之间的接合内衬。

17.根据权利要求16所述的半导体结构，其特征在于，所述浸润层的材质包括钛和氮化钛的其中之一。

18.根据权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述第一层金属层为采用化学气相沉积工艺形成的铝层，所述第二层金属层为采用物理气相沉积工艺形成的铝层。

19.根据权利要求14至18中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体衬底的底部设有晶体管结构，所述晶体管结构具有栅结构，所述半导体结构还包括：

电容器结构，位于所述半导体衬底上；

其中，所述第一层金属层及所述第二层金属层均位于所述电容器结构与所述晶体管结构之间，所述第一层金属层及所述第二层金属层构成的组合结构分段隔离成多个节点接触，以电连接所述晶体管结构受到由所述栅结构开关启动的漏级区与所述电容器结构的下电极。